[实用新型]一种带进料粉碎机构的单晶炉有效
| 申请号: | 202122451267.0 | 申请日: | 2021-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN216192868U | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 吴亚娟;燕靖;李远田 | 申请(专利权)人: | 徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06;B02C18/14;B02C18/16;B02C18/18;B28D5/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 进料 粉碎 机构 单晶炉 | ||
本实用新型公开了一种带进料粉碎机构的单晶炉,炉盖上安装有进料粉碎机构;进料粉碎机构包括粉碎室、搅拌主轴、防尘板和导流管,粉碎室呈卧式圆筒状,粉碎室一侧上方水平设有进料口,进料口通过倾斜设置的滑槽与粉碎室连通,进料口与滑槽连接处的上端转动连接防尘板,粉碎室的中心处水平设有搅拌主轴,搅拌主轴的一端与粉碎室外的电机输出端连接,搅拌主轴上圆周均匀设有多个长搅拌叶,搅拌主轴在相邻两个长搅拌叶之间固定有短搅拌叶,粉碎室内的上半筒壁均匀固定有多个粉碎块,粉碎室靠近炉盖的一侧下部开设出料口,粉碎室的出料口通过倾斜向下设置的导流管延伸至炉体内坩埚的上方;炉体在坩埚的正下方固定有接液槽。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长炉技术领域,具体为一种带进料粉碎机构的单晶炉。
背景技术
目前,单晶材料以其优异的声、光、电、磁等功能性能,已快速发展成为一种应用日益广泛的新材料。高性能单晶材料的研发突破大大促进了现代工业发展,在高新技术产业和科学研究等诸多领域具有不可替代的作用。
单晶硅在制备的之前为了提高生产效率会对单晶硅进行粉碎,但是市面上现有的粉碎机构和单晶炉是单独存在的,粉碎过后需要人工打开单晶炉炉盖后,利用料筒向坩埚内投入硅粉,由于需要人工投料,因此需要等单晶炉内温度降温到适宜温度后,才能靠近投料,浪费大量的时间,这样很难满足大规模工业化生产的需求。同时粉碎机构体积较大,成本较高。
拉制单晶硅时,需要在特制石英坩埚中,将单晶硅远离融化,然后使用籽晶拉制单晶硅晶棒。融化单晶硅时所用温度极高,高温熔化的单晶硅,如果石英坩埚发生破裂或者存在孔洞缺陷,将发生高温硅溶液溢流到拉晶炉内部,因为高温运行,难以快速降低温度,溶液将持续外漏,严重时损坏设备及内部热场材料,造成严重事故,是生产单晶硅最大的安全隐患之一。如果发生熔料泄漏,生产将被迫中断,甚至设备及内部组件也将受到损伤,如果导致设备损坏,发生冷却水泄漏,甚至影响人员安全及厂房安全。
实用新型内容
针对上述存在的技术不足,本实用新型的目的是提供一种带进料粉碎机构的单晶炉,以解决背景技术中提出的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
本实用新型提供一种带进料粉碎机构的单晶炉,包括炉体和炉盖,还包括进料粉碎机构,所述进料粉碎机构安装于所述炉盖上;
所述进料粉碎机构包括粉碎室、搅拌主轴、防尘板和导流管,所述粉碎室呈卧式圆筒状,所述粉碎室的一侧上方水平设有进料口,所述进料口通过倾斜设置的滑槽与粉碎室连通,所述进料口与滑槽连接处的上端转动连接防尘板,所述粉碎室的中心处水平设有搅拌主轴,所述搅拌主轴的一端与粉碎室外的电机输出端连接,所述搅拌主轴上圆周均匀设有多个长搅拌叶,所述搅拌主轴在相邻两个长搅拌叶之间固定有短搅拌叶,所述粉碎室内的上半筒壁均匀固定有多个粉碎块,所述粉碎室靠近炉盖的一侧下部开设出料口,所述粉碎室的出料口通过倾斜向下设置的导流管延伸至炉体内坩埚的上方;
所述炉体在坩埚的正下方固定有接液槽。
优选地,所述进料口的竖截面呈矩形,所述进料口的底板长于其顶板,如此方便放料;所述防尘板形状与大小与进料口相适应,所述防尘板的底部内嵌磁铁一,所述进料口的底板靠近滑槽的一端内嵌有与磁铁一磁性相反的磁铁二,所述粉碎室通过支架固定于炉盖上,所述防尘板远离粉碎室的一侧固定有挡块,如此限定了防尘板只能朝向粉碎室一侧转动,由于防尘板转动设置,进料时,远离推动防尘板打开,进料后,由于其自身重力作用,防尘板自动归于竖直密封状态,由于磁铁一和磁铁二磁性相反因而相吸,再配合挡块的作用,使得远离在粉碎过程中,细小碎屑和灰尘不能通过进料口冒出,能够起到防尘密封的作用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司,未经徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122451267.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





