[实用新型]氮化镓压力传感器

权利要求书

1.氮化镓压力传感器，其特征在于，所述氮化镓压力传感器包括：

第一衬底；

第二衬底，所述第二衬底位于所述第一衬底的一侧；

外延结构，所述外延结构位于所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧，所述外延结构包括层叠设置的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层，所述GaN缓冲层位于所述第二衬底一侧的表面上；

源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极和所述栅极位于所述外延结构远离所述第二衬底的一侧，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极相对的两侧，所述栅极的数量为大于等于2的正整数，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域；

凹槽，所述凹槽位于所述第二衬底上，所述沟道区域在所述第一衬底上的正投影与所述凹槽在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述第二衬底包括层叠设置的基底层、绝缘层和硅层，所述基底层位于靠近所述第一衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述基底层的厚度为100-500μm。

4.根据权利要求2所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.5-5.5μm。

5.根据权利要求2所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述硅层的厚度为0.5-100μm。

6.根据权利要求2所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述凹槽位于所述基底层上，且所述凹槽的开口位于所述基底层远离所述绝缘层的一侧。

7.根据权利要求6所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述凹槽的深度为100-500μm。

8.根据权利要求1所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为0.5-5μm，所述GaN沟道层的厚度为0.2-5μm，所述AlN插入层的厚度为0.5-3nm，所述AlGaN势垒层的厚度为10-100nm，所述GaN帽层的厚度为1-10nm。

9.根据权利要求1所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，形成所述源极和所述漏极的材料为Ti、Al、Ni或Au；

形成所述栅极的材料为Ti、Cr、Ni、Pt或Au。

10.根据权利要求1所述的氮化镓压力传感器，其特征在于，所述外延结构为增强型HEMT结构或耗尽型HEMT结构。