[实用新型]一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡

说明书

本实用新型公开了一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，属于微波技术领域，针对现有技术中存在的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果问题，本实用新型包括波导、微带线和过渡结构，所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度，通过微波基片将整个波导口覆盖密封，所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。其目的为：提高电磁屏蔽性能，实现相邻通道的高隔离特性。

技术领域

本实用新型属于微波技术领域，具体涉及一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡。

背景技术

微波组件为便于与波导接口的外部器件链接，同样采用波导作为接口，而微波组件内部多采用微带结构实现电气功能，因此性能良好的波导微带过渡结构对微波组件性能至关重要。由于微波组件中经常有多条通道并排排布，一个通道是一个射频电路，各个射频电路之间存在电磁屏蔽的问题，因此能否具有高效电磁屏蔽效果的波导微带过渡结构是微波毫米波组件设计的关键技术。

现有的专利公开了一种新型波导微带过渡（公开号为：CN213278346U），该专利采用介质基片将整个波导口封闭，然后将介质基片与波导的接触面焊锡烧结在一起，并在介质基片上设置有一排用于形成微波屏蔽的金属化过孔，且该金属化过孔均匀分布在介质基片表面的腔体外沿。

现有技术至少存在以下技术问题：

现有技术介质基片设置的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果。

发明内容

针对现有技术中存在的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果问题，本实用新型提出了一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其目的为：提高电磁屏蔽性能，实现相邻通道的高隔离特性。

为实现上述目的本实用新型所采用的技术方案是：提供一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，包括波导、微带线和过渡结构，所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度，通过微波基片将整个波导口覆盖密封，所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。本实用新型在微波基片将整个波导口覆盖密封后，将微波基片与波导接触部分金属化并用焊锡烧结，从而隔绝水汽、多余物等进入微波组件内部。

较优的，本实用新型所述微波基片为矩形。

较优的，本实用新型所述波导为第一波导和第二波导，所述第二波导与微波基片连接，第一波导与第二波导连接。

较优的，本实用新型所述第一波导和第二波导都为柱体，所述第一波导的横截面为矩形，第二波导的横截面为圆角矩形，所述第二波导与第一波导连接处的直角矩形的直线边与矩形的边重合。

较优的，本实用新型所述过渡结构为过渡微带线和微带探针。

较优的，本实用新型所述过渡微带线与所述微带线连接，所述微带探针与所示过渡微带线连接。

较优的，本实用新型所述腔体为“T”形，包括第一腔体、连接腔体和第二腔体，第一腔体为“T”形中的横，第二腔体为“T”形中的竖。

较优的，本实用新型所述第一腔体为横截面与第二波导相同的柱体，所述第二腔体为柱体，其横截面为拱门形，所述连接腔体位于第一腔体与第二腔体之间。

较优的，本实用新型所述第一腔体与连接腔体等高，所述第二腔体的高度大于第一腔体的高度。

较优的，本实用新型所述两排金属过化孔设置在腔体的边沿，所述两排金属过化孔错位排布。