[实用新型]低功耗的基准电压源

权利要求书

1.低功耗的基准电压源，其特征在于，所述基准电压源包括：

偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压输出电路提供偏置电流；

基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；

其中，所述偏置补偿电路的N级PMOS管与所述基准电压输出电路的N级自共源共栅结构一一对应连接；N为大于或等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，所述偏置补偿电路的N级PMOS管中每一级PMOS管的漏极作为所述偏置补偿电路的一个输出端与所述基准电压输出电路的对应一个输入端相连接。

3.根据权利要求2所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，所述偏置补偿电路中每一级PMOS管的源极与同一级PMOS管的栅极相连接。

4.根据权利要求3所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，所述基准电压源还包括电源，所述偏置补偿电路中每一级PMOS管的衬底与电源相连接，且每一级PMOS管的源极与同一级PMOS管的栅极的连接点与电源相连接。

5.根据权利要求1所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，每一级自共源共栅结构包括一个1号NMOS管和一个2号NMOS管；每一级自共源共栅结构的2号NMOS管的漏极作为所述基准电压输出电路的一个输入端与所述偏置补偿电路对应一个输出端连接。

6.根据权利要求5所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的栅极与2号NMOS管的栅极相连接；每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的漏极与2号NMOS管的源极相连接；每一级自共源共栅结构中的1号NMOS管的衬底与地线相连接。

7.根据权利要求6所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，每一级自共源共栅结构中的2号NMOS管的栅极与同一级自共源共栅结构的2号NMOS管的漏极相连接。

8.根据权利要求7所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，第N级自共源共栅结构的1号NMOS管的漏极与第N级自共源共栅结构的2号NMOS管的源极的连接点作为所述基准电压输出电路的输出端，用于输出基准电压。

9.根据权利要求8所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，第k-1级自共源共栅结构的1号NMOS管的漏极和第k-1级自共源共栅结构的2号NMOS管的源极的连接点与第k级自共源共栅结构的1号NMOS管的源极相连接；其中，k为大于或等于2，且小于或等于N的整数。

10.根据权利要求9所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，第1级自共源共栅结构的1号NMOS管的源极与地线相连接。

11.根据权利要求8所述的低功耗的基准电压源，其特征在于，每一级自共源共栅结构的2号NMOS管的衬底与所述基准电压输出电路的输出端相连接。