[实用新型]一种APD-TIA电路及TIA芯片

权利要求书

1.一种APD-TIA电路，其特征在于：包括外部高压电路、APD和TIA，该外部高压电路包括外部高压源和连接在外部高压源输出端的高压滤波网络，该高压滤波网络的正输出端连接APD的负极，该APD的正极连接TIA的输入端，TIA具有用于连接外部地的接地公共端,该高压滤波网络的接地端直接连接至TIA的接地公共端。

2.根据权利要求1所述的一种APD-TIA电路，其特征在于：该高压滤波网络为由滤波电阻R_HI和滤波电容C_HI构成的RC滤波网络。

3.根据权利要求1所述的一种APD-TIA电路，其特征在于：该高压滤波网络为由滤波电容C_HI构成的滤波网络。

4.一种TIA芯片，其特征在于：具有TIA和高压滤波网络，TIA具有用于连接外部地的接地公共端，该高压滤波网络的接地端连接至TIA的接地公共端，该芯片具有引接该接地公共端的接地脚VSS、引接该TIA的输入端的PINA脚、引接TIA的正输出端的VOUTP和引接TIA的负输出端的VOUTN脚、引接高压滤波电路的正输出端的PINK脚、引接高压滤波电路的正输入端的VAPD脚。

5.根据权利要求4所述的一种TIA芯片，其特征在于：该高压滤波网络为由滤波电阻R_HI和滤波电容C_HI构成的RC滤波网络。

6.根据权利要求4所述的一种TIA芯片，其特征在于：该高压滤波网络为由滤波电容C_HI构成的滤波网络。

7.根据权利要求5所述的一种TIA芯片，其特征在于：该滤波电阻R_HI为金属线，金属线与衬底之间的介质层不具P+掺杂或N+掺杂。

8.根据权利要求7所述的一种TIA芯片，其特征在于：该金属线为单层金属绕线或叠层金属绕线，且与衬底之间不具P+掺杂或N+掺杂。

9.根据权利要求5或6所述的一种TIA芯片，其特征在于：该滤波电容C_HI为MOM电容。

10.根据权利要求9所述的一种TIA芯片，其特征在于：该滤波电容C_HI为单层MOM电容或多层MOM电容并联。

11.一种APD-TIA电路，其特征在于：包括外部高压源、APD和如权利要求4-10中任一项所述的TIA芯片，该外部高压源连接TIA芯片的VAPD脚，该APD的负极连接TIA芯片的PINK脚，该APD的正极连接TIA芯片的PINA脚,该TIA芯片的VSS脚接地。