[实用新型]一种芯片结构

说明书

本实用新型公开了一种芯片结构，其中，包括衬底，以及在所述衬底上依次沉积的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层和导电层；所述衬底背离所述N型氮化镓层的一侧设置有滤波层。本申请公开的芯片结构在制备过程中在背光面设置了反射层反射光线，解决背面漏光的问题，增加正面出光量；正面设置了滤波层，使出光面的出光波长一致，从而获得亮度高、出光均匀性好的芯片结构，使得多个芯片结构安装到基板上时出光效果接近，减少色差，以获得更佳的显示效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种芯片结构。

背景技术

目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)作为发光元件，在半导体行业中的应用已非常常见。随着科技的进步，发光元件的研发也在不断进行，为了满足人们对显示效果越来越高的要求，有机发光二极管芯片(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、MiniLED芯片、Micro LED芯片等等类型的发光元件逐渐被研发出来。整体来说发光元件逐渐趋向于小尺寸，以实现在制造时通过巨量转移在基板上排列大量发光元件，提高显示屏的分辨率。

但是，目前小尺寸的发光芯片是现在生长基板上生长的，比如Micro LED芯片先在晶圆上形成排列，然后通过倒装的方式安装到基板上，而通过外延产出的Micro LED芯片存在个体差异，不能控制每个Micro LED芯片的出光波长都相同，所以容易导致基板上的发光阵列出现色差，导致产生显示效果差的缺陷。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种芯片结构，旨在解决基板上的发光芯片的出光波长有差异导致显示效果差的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种芯片结构，其中，包括衬底，以及在所述衬底上依次沉积的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层和导电层；所述衬底背离所述N型氮化镓层的一侧设置有滤波层。

所述的芯片结构，其中，所述滤波层为分布式布拉格反射镜层；和/或，所述反射层为分布式布拉格反射镜层。

所述的芯片结构，其中，所述滤波层包括氧化硅层和氧化钛层交替堆叠设置的多层结构。

所述的芯片结构，其中，所述氧化硅层的厚度为20-90纳米；所述氧化钛层的厚度为20-150纳米。

所述的芯片结构，其中，所述氧化硅层和所述氧化钛层交替排列至少11个周期。

所述的芯片结构，其中，所述滤波层的厚度为1-3微米。

所述的芯片结构，其中，通过蒸镀技术在所述衬底表面形成所述滤波层。

所述的芯片结构，其中，所述反射层的厚度为1-4微米。

所述的芯片结构，其中，所述导电层的厚度为1-4微米。

所述的芯片结构，其中，所述衬底的厚度为60-120微米。

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：

本申请公开的芯片结构在制备过程中在背光面设置了反射层，工作时导电层向N型氮化镓层和P型氮化镓层导入电信号，进而激发发光层发光，当发光层射向背光面的光线碰到反射层时改变传播方向，转而射向出光面，增加芯片结构的正面出光量；同时，在出光面设置了滤波层，滤波层只能通过特定波长的光线，并滤除其他波长的光线，使芯片结构的出光面上射出的光线波长一致，可以预先控制，从而使用本申请公开的芯片结构制造显示结构的时候，可以减少基板上的色差，以获得更佳的显示效果；特别的，滤波层滤除光线的功能会降低出光面的出光量，而设置反射层刚好可以增加射向出光面的光线，以补充出光面的出光量，最终获得亮度高、出光均匀性好的芯片结构。

附图说明