[实用新型]一种氮化镓集成驱动模块

说明书

本实用新型涉及一种氮化镓集成驱动模块，包括：PCB板；集成在所述PCB板上的氮化镓功率器件和阻容驱动电路，所述氮化镓功率器件倒装在所述PCB板上；所述阻容驱动电路与所述氮化镓功率器件连接，以驱动氮化镓功率器件开启或关断。本实用新型的一种氮化镓集成驱动模块将氮化镓功率器件倒装后和阻容驱动电路集成在PCB板上，能够避免因打线带来的寄生参数，同时，倒装的方式能够让器件的热量通过PCB板散出，从而提高了该氮化镓集成驱动模块的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其是指一种氮化镓集成驱动模块。

背景技术

氮化镓功率器件可以实现较高的开关频率、较高的系统效率和功率密度，然而氮化镓功率器件的驱动与硅、碳化硅器件不同，氮化镓器件的阈值电压较低，通常是1V到2V左右，而硅、碳化硅功率器件的阈值电压一般高于3V；氮化镓功率器件的开关速度快，有较高的电压和电流变化率；氮化镓的阈值较低，同时电压、电流变化率较高，来自电路板及器件本身的寄生参数会对应用系统造成较大的影响，会导致电压和电流尖峰，引起驱动振铃现象，使得系统效率降低。

现有的氮化镓功率器件驱动方式有：1.通过专用氮化镓驱动IC驱动，而氮化镓专用驱动IC成本高；2.通过氮化镓单片集成驱动，能够减少寄生参数，方便使用，但是其成本较高且没有P型氮化镓器件，模拟功能较难实现，共封芯片比分立器件温度更高，且难以调整驱动特性；3.通过硅驱动IC和氮化镓分离器件共封装，而硅驱动集成电路并不适用于工作温度高于100度的工作环境；4.通过阻容分压直接驱动，其不需要特别的驱动集成电路即可实现传统的硅器件驱动方式来驱动氮化镓的目的，而这种驱动方式的设计较为复杂，且无法事先对电阻电容组合成的驱动电路做测试，导致电容或电阻的容差造成驱动可靠性下降的问题。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中氮化镓功率器件驱动方式成本高、设计困难、无法事先测试等问题，并提供一种成本低廉、稳定性高的氮化镓集成驱动模块。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种氮化镓集成驱动模块，包括：

PCB板；

集成在所述PCB板上的氮化镓功率器件和阻容驱动电路，所述氮化镓功率器件倒装在所述PCB板上；

所述阻容驱动电路与所述氮化镓功率器件连接，以驱动氮化镓功率器件开启或关断。

作为本实用新型的进一步改进，所述阻容驱动电路包括第一电阻、第二电阻、电容、二极管、第一稳压管和第二稳压管，所述二极管的阴极与所述第一电阻的第一端连接，所述二极管的阳极与所述第一电阻的第二端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第一端与所述电容的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一稳压管的阴极和所述电容的第二端连接，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极连接，所述第二稳压管的阴极接地，所述第二电阻的第二端和所述第二稳压管的阴极均与所述氮化镓功率器件连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述氮化镓功率器件的栅极与所述第二电阻的第二端连接，所述氮化镓功率器件的源极接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述阻容驱动电路还包括第三电阻，所述第三电阻的两端分别与所述第二电阻的第二端和所述第二稳压管的阴极连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述电容为加速电容。

作为本实用新型的进一步改进，当驱动脉冲为高电平时，V_drv＝V_c+V_gs，其中：V_drv为驱动脉冲的电压，V_c为电容两端的电压，V_gs为氮化镓功率器件的栅极与源极之间的电压。