[实用新型]显示基板、显示面板有效
| 申请号: | 202122253653.9 | 申请日: | 2021-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN216698368U | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | 卢辉;刘珂;张振华;石领;刘畅畅;刘烺;谢帅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶丽;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括第一显示区,所述第一显示区包括多个第一子像素以及位于所述多个第一子像素之间的透光区域;
所述第一子像素包括像素电路,所述像素电路包括多条信号线;
在所述第一显示区的透光区域中,至少部分信号线的材料采用透明走线,在所述第一显示区的透光区域以外的区域,至少部分信号线的材料采用金属走线。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多条信号线包括扫描信号线、数据信号线、第一电源线、初始信号线和发光信号线,其中:
所述扫描信号线、数据信号线、第一电源线和初始信号线均为金属走线,所述发光信号线为透明走线。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板的平面上,所述显示基板包括基底以及位于所述基底上的多个导电层;
在所述第一显示区,所述第一电源线和所述数据信号线位于不同的导电层上,且所述第一电源线在所述基底上的正投影与所述数据信号线在所述基底上的正投影存在重叠区域。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板的平面上,所述显示基板包括基底以及位于所述基底上的多个导电层;所述扫描信号线包括第一扫描信号线和第二扫描信号线,所述第一扫描信号线和第二扫描信号线位于不同的导电层上;
所述像素电路包括驱动子电路、数据写入子电路和第一复位子电路,所述驱动子电路被配置为在第一节点的控制下,在第二节点和第三节点之间产生驱动电流;所述数据写入子电路被配置为在所述第一扫描信号线的控制下,向第二节点写入数据信号;所述第一复位子电路被配置为在所述第二扫描信号线的控制下,对所述第一节点进行复位;
在所述第一显示区,所述第一扫描信号线在基底上的正投影与所述第二扫描信号线在基底上的正投影存在重叠区域。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在所述第一显示区,所述第二扫描信号线沿第一方向延伸,所述第二扫描信号线包含间隔设置的弯折部,所述弯折部沿第二方向延伸,所述第一方向与第二方向正相交。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在所述第一显示区,所述第一扫描信号线在基底上的正投影、所述初始信号线在基底上的正投影以及所述第二扫描信号线在基底上的正投影存在三者相重叠的区域。
7.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板的平面上,所述显示基板包括基底以及依次设置在所述基底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层和第二源漏金属层;
所述半导体层包括多个晶体管的有源层,所述第一栅金属层和第二栅金属层中的至少一层包括所述第二扫描信号线,所述第一源漏金属层包括所述初始信号线和第一电源线,所述第一透明导电层包括所述发光信号线,所述第二源漏金属层包括所述第一扫描信号线和数据信号线。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示区包括多列所述第一子像素,每一列的第一子像素中的半导体层与相邻列的第一子像素中的半导体层在行方向上呈交错排列。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,在所述第一显示区,所述第一扫描信号线包括多个分支,所述第一透明导电层包括第十四连接电极和第十五连接电极,所述第一源漏金属层包括第六连接电极和第七连接电极,所述第一栅金属层包括第一连接电极;
所述第六连接电极和第七连接电极分别通过过孔与所述第一连接电极的两端电连接,所述第十四连接电极通过过孔与所述第七连接电极电连接,所述第十五连接电极通过过孔与所述第六连接电极电连接;
所述第一扫描信号线的每个分支分别通过过孔与同一行的相邻两个第一子像素中的第十四连接电极和第十五连接电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





