[实用新型]一种硅片背部缺陷测试仪有效
| 申请号: | 202122245035.X | 申请日: | 2021-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN216487959U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 乔晓丹;王建安;徐兆存 | 申请(专利权)人: | 上海摩瑆半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 黄宇 |
| 地址: | 200000 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 背部 缺陷 测试仪 | ||
本实用新型公开了一种硅片背部缺陷测试仪,前端面设置有前盖,所述前盖的后方设置有晶片暂停器和晶背反转器,所述前盖的后方设置有矩形仓,所述前盖的右侧是屏幕,所述晶片暂停器的真空吸盘由轴套连接,由旋转马达驱动。实现晶背在客户需要的角度内停留,观察检测更便捷,拍照更清晰;实现晶片与所述晶背反转器精准对位,防止意外掉片等意外发生。
技术领域
本实用新型涉及测试仪技术领域,具体为一种硅片背部缺陷测试仪。
背景技术
晶背测量仪常用于检测硅片制造工艺前端工序、外层半成品经显影蚀刻后(上绿油前)基体的边缘和背面是否有缺陷,包括工艺缺陷,污染物、光阻残留、光阻滴漏背面和错误边线等;同时可扩展应用于LED晶片硅片背部缺陷的测量,光罩正反测量,LCD线路板测量等宏观测量场合,晶背测量仪在经过长时间使用后,晶片暂停器和晶背反转器可能会产生故障。
但是,现有的晶片暂停器和晶背反转器拆装步骤较为繁琐,不便于检修和替换,从而提高了设备的维护成本;因此,不满足现有的需求,对此我们提出了一种硅片背部缺陷测试仪。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅片背部缺陷测试仪,以解决上述背景技术中提出的现有的晶片暂停器和晶背反转器拆装步骤较为繁琐,不便于检修和替换,从而提高了设备的维护成本等问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅片背部缺陷测试仪,前端面设置有前盖,所述前盖的后方设置有晶片暂停器和晶背反转器,所述前盖的后方设置有矩形仓,所述前盖的右侧是屏幕,所述晶片暂停器的真空吸盘由轴套连接,由旋转马达驱动。所述矩形仓的内部是机器电源供给和厂务接口。所述前盖的右侧是屏幕,最终将图像显示给客户,供客户抓取图像和记录结果。
优选的,所述晶片暂停器配置电路接口,实现快速拔插,方便维修维护,更换更迅速。
优选的,所述晶片暂停器装配升降凸轮,带动真空吸盘上下运动。
优选的,所述晶片暂停器配置倾斜马达,带动真空吸盘倾斜。
优选的,所述晶背反转器配置双传感器,保证不掉片。
优选的,所述晶背反转器装置了精密气阀,通过程序调节压力大小,控制夹子的开关速度。
优选的,所述晶背反转器配备电路接口,方便快捷拆装,带来维修维护和更换的更大便利。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
实现晶背在客户需要的角度内停留,观察检测更便捷,拍照更清晰;
实现晶片与所述晶背反转器精准对位,防止意外掉片等意外发生。
附图说明
图1是本实用新型的外部结构示意图。
图2为本实用新型整体的晶背反转器结构示意图;
图3为本实用新型整体的晶片暂停器结构示意图;
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
一种硅片背部缺陷测试仪,前端面设置有前盖10,所述前盖的后方设置有晶片暂停器,如图3所示,和晶背反转器如图1所示,所述前盖 10的后方设置有矩形仓30,所述矩形仓30的内部是机器电源供给和厂务接口。所述前盖10的右侧是屏幕20,最终将图像显示给客户,供客户抓取图像和记录结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





