[实用新型]一种静电吸盘及等离子体处理设备

说明书

本申请提供了一种静电吸盘及等离子体处理设备，静电吸盘可以包括吸盘主体，吸盘主体用于吸附固定待处理晶圆，吸盘主体朝向待处理晶圆的一侧设置有紫外灯，用于发出紫外光，紫外光具有较高的能量，有利于电子吸收能量实现能级跃迁而移动，因此可以消除待处理晶圆背面的极化电荷，从而缓解待处理晶圆在去吸附后由于极化电荷的存在而导致的晶圆良率的问题，以及缓解待处理晶圆在去吸附后由于极化电荷的存在而影响后续工艺的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种静电吸盘及检测方法。

背景技术

在半导体产业和技术中，通常采用等离子体刻蚀设备实现晶片的刻蚀。为了在半导体工艺汇总提供产能、并实现对晶片的有效控制，通常在半导体工艺器件利用静电吸盘(Electro Static Chuck，ESC)和晶片之间的静电吸附力，将晶片吸附(chuck)在静电吸盘上，以进行晶片的刻蚀等工艺。

然而利用目前的静电吸盘对晶片进行吸附后，晶片背面容易产生极化电荷不易清除，在去吸附(De-chuck)后极化电荷的存在影响晶片良率及后续工艺。

发明内容

为了解决以上技术问题，本申请提供了一种静电吸盘及等离子体处理设备，去除晶片背面的极化电荷，提高晶片良率便于后续工艺。

本申请实施例提供了一种静电吸盘，包括：

吸盘主体，用于吸附固定待处理晶圆；所述吸盘主体的朝向所述待处理晶圆的一侧设置有紫外灯，用于发出紫外光消除所述待处理晶圆背面的极化电荷。

可选的，所述紫外灯的数量为多个。

可选的，多个所述紫外灯在所述吸盘主体的表面上均匀分布。

可选的，所述吸盘主体表面上固定有所述紫外灯。

可选的，所述静电吸盘还包括：纵向贯穿所述吸盘主体的顶针，所述顶针的尖端设置有所述紫外灯。

可选的，所述静电吸盘还包括：

纵向贯穿所述吸盘主体的顶针穿孔，所述顶针设置在所述顶针穿孔中。

可选的，所述顶针底部设置有移动装置，用于在纵向和/或横向上移动所述顶针。

可选的，所述吸盘主体的材料为介质材料。

可选的，所述静电吸盘还包括：

所述吸盘主体内部的静电电极板，所述静电电极板用于连接直流电源。

本申请实施例提供了一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

反应腔和所述的静电吸盘，所述静电吸盘位于所述反应腔的底部。

本申请实施例提供了一种静电吸盘及等离子体处理设备，静电吸盘可以包括吸盘主体，吸盘主体用于吸附固定待处理晶圆，吸盘主体朝向待处理晶圆的一侧设置有紫外灯，用于发出紫外光，紫外光具有较高的能量，有利于电子吸收能量实现能级跃迁而移动，因此可以消除待处理晶圆背面的极化电荷，从而缓解待处理晶圆在去吸附后由于极化电荷的存在而导致的晶圆良率的问题，以及缓解待处理晶圆在去吸附后由于极化电荷的存在而影响后续工艺的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例提供的一种静电吸盘的结构示意图；

图2为图1中的静电吸盘沿AA向的剖视图；

图3为本申请实施例提供的另一种静电吸盘的结构示意图；