[实用新型]一种高g值MEMS压阻式加速度计

权利要求书

1.一种高g值MEMS压阻式加速度计，具有高灵敏度、高抗过载能力的单质量块三轴线压阻式检测结构，及芯片级三层叠式三明治式的密封保护结构，包含上、下保护及限位层，中间敏感结构检测层，由上保护盖(1)、下基板(2)、质量块(3)、悬挂梁(4)、支撑外框(5)、压敏电阻(6)组成，其特征在于：所述加速度计为中心对称结构，质量块(3)位于正中心，悬挂梁(4)一端与质量块(3)相连，另一端固定在支撑外框(5)内缘，压敏电阻(6)成对制作在悬挂梁(4)上，上保护盖(1)和下基板(2)分别与支撑外框(5)进行对位硅-玻璃键合，形成封闭腔体，实现对中间敏感结构检测层的保护和限位。

2.根据权利要求1所述的一种高g值MEMS压阻式加速度计，其特征在于：所述支撑外框(5)内部轮廓和质量块(3)外形采用八边形结构，质量块(3)可增重。

3.根据权利要求1所述的一种高g值MEMS压阻式加速度计，其特征在于：所述悬挂梁(4)采用八梁对称结构，成米字型均匀分布，固连于质量块(3)和支撑外框(5)之间，分别在单根悬挂梁(4)两端布置注入压敏电阻(6)，一对悬挂梁(4)的压敏电阻(6)对互连后形成检测电桥。

4.根据权利要求1所述的一种高g值MEMS压阻式加速度计，其特征在于：所述加速度计包括呈45°角差分布的两个敏感轴系，正向轴系A组电桥(6-1)和B组电桥(6-2)注入在梁的同向侧平面，用于测量平面方向上的X轴、Y轴的加速度，偏离XY轴45°方向轴系C组电桥(6-3)和D组电桥(6-4)注入梁的上平面用于测量Z轴的加速度。

5.根据权利要求1所述的一种高g值MEMS压阻式加速度计，其特征在于：所述中间敏感结构检测层的质量块(3)、悬挂梁(4)、支撑外框(5)全部采用硅基材；上、下保护及限位层的上保护盖(1)、下基板(2)全部采用硼硅玻璃材质，通过硅-玻璃三层叠式键合加工工艺实现芯片级真空密封。