[实用新型]一种碳化硅mosfet散热结构有效

专利信息
申请号: 202122209423.2 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN215988732U 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 张建;张前;苏显;张敏 申请(专利权)人: 天津市云驱科技有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/367
代理公司: 北京华专卓海知识产权代理事务所(普通合伙) 11664 代理人: 高成树
地址: 300308 天津市滨海新区华*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 mosfet 散热 结构
【权利要求书】:

1.一种碳化硅mosfet散热结构,包括:主体(1)、固定槽(2)、卡块(3)、固定架(4)、底板(5)、散热槽(6)、安装槽(7)、隔热板(8)、封盖(9)、引脚(10)、圆槽(11);其特征在于:所述固定槽(2)位于主体(1)外侧的下方,且固定槽(2)与主体(1)为一体式结构;所述卡块(3)呈前后对称排列的方式分别位于固定槽(2)的前后两侧,且卡块(3)与固定槽(2)为一体式结构;所述固定架(4)的上方设置在固定槽(2)的内部,且固定架(4)与固定槽(2)通过卡块(3)相连接;所述底板(5)设置在固定架(4)的下侧,且底板(5)与固定架(4)通过焊接方式相连接;所述散热槽(6)位于底板(5)的下侧,且散热槽(6)与底板(5)为一体式结构;所述安装槽(7)位于底板(5)上侧的中间,且安装槽(7)与底板(5)为一体式结构;所述隔热板(8)设置在安装槽(7)内的下方,且隔热板(8)与安装槽(7)之间卡接;所述封盖(9)设置在安装槽(7)内的上方,且封盖(9)与安装槽(7)通过螺栓固定方式相连接;所述引脚(10)在主体(1)的下侧设置有三处,且引脚(10)的上端与主体(1)通过焊接方式相连接;所述圆槽(11)呈均布排列的方式在主体(1)的外侧设有多处,且圆槽(11)与主体(1)为一体式结构。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述卡块(3)为侧视呈楔形的块状结构,且卡块(3)呈水平排列的方式设有多处。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述固定架(4)为俯视呈长方形的筒装结构,且固定架(4)的外侧设有多处长方形的槽孔,并且固定架(4)与卡块(3)之间卡接。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述底板(5)为侧视呈等腰梯形的板状结构,且底板(5)的内部设有三处长方形的槽孔。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述散热槽(6)为侧视呈弧形的槽状结构,且散热槽(6)呈前后对称排列的方式设有多处。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述隔热板(8)和封盖(9)均为长方形的板状结构,且隔热板(8)和封盖(9)的内部均设有三处长方形的槽孔。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet散热结构,其特征在于:所述引脚(10)为长条形的杆状结构,且引脚(10)的上部侧视呈S形,并且引脚(10)分别与底板(5)、隔热板(8)和封盖(9)之间穿接。

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