[实用新型]一种基于GaAs衬底的低功耗50~4000MHz低噪放芯片

说明书

本实用新型公开了一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，包括陶瓷基板和芯片本体，芯片本体通过导电胶粘接于陶瓷基板上；陶瓷基板上设置有第一隔直电容、滤波电容、扼流电感、射频输入焊盘和射频输出焊盘，射频输入信号依次通过第一隔直电容和射频输入焊盘后输入至芯片本体的射频输入端，芯片本体输出的射频输出信号通过射频输出焊盘输出。本实用新型将直流的电源输入焊盘和射频输出焊盘共用，可以节省芯片本体内部元件布局的空间；同时，第一隔直电容、滤波电容和扼流电感均布置在芯片本体外部的陶瓷基板上，这样做可以节省裸芯片本体的面积，还可以灵活方便的调节和选用外部元件。

技术领域

本实用新型涉及射频器件领域，尤其涉及一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片。

背景技术

随着设备小型化的发展，射频应用对芯片小型化、多功能性、高可靠性、低功耗性、提出了更高的要求。对于射频放大器而言，稳定性和性能的要求也越来越高。低噪放(low-noise amplifier)是一类特殊的电子放大器，主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理。由于来自天线的信号一般都非常微弱，低噪音放大器一般情况下均位于非常靠近天线的部位，以减小信号通过传输线的损耗。

然而在现有技术中，目前半导体放大器芯片多采用有源偏置电路的结构，内部走线结构相对复杂，芯片面积较大，并且他们的工作频率带宽相对较窄，功耗大。

因此，针对上述问题，提供一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，是本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型的第一方面，提供一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，包括陶瓷基板和芯片本体，所述芯片本体通过导电胶粘接于所述陶瓷基板上；

所述陶瓷基板上设置有第一隔直电容、滤波电容、扼流电感、射频输入焊盘和射频输出焊盘，射频输入信号依次通过第一隔直电容和射频输入焊盘后输入至芯片本体的射频输入端，芯片本体输出的射频输出信号通过射频输出焊盘输出，电源输入信号依次通过滤波电容、扼流电感、射频输出焊盘后输入至芯片本体的电源输入端。

进一步地，所述芯片本体为二级放大结构。

进一步地，所述芯片本体包括射频输入端和射频输出端；

所述射频输入端通过第一微带线MLine1与第一微带T形结MTee1的第一端连接，第一微带T形结MTee1的第二端依次通过第二微带线MLine2、第一晶体管Transistor1与第二微带T形结MTee2的第一端连接，第一微带T形结MTee1的第三端依次通过电阻R1、第三微带线MLine3与第二微带T形结MTee2的第二端连接；

第二微带T形结MTee2的第三端通过第五微带线MLine5与第三微带T形结MTee3的第一端连接，第三微带T形结MTee3的第二端依次通过第六微带线MLine6、第二晶体管Transistor2、第九微带线MLine9与第四微带T形结MTee4的第一端连接，第三微带T形结MTee3的第三端依次通过电阻R2、第七微带线MLine7与第四微带T形结MTee4的第二端连接；

第四微带T形结MTee4的第三端通过第十微带线MLine10与射频输出端连接。

进一步地，所述第一晶体管Transistor1的接地端通过第四微带线MLine4接地，所述第二晶体管Transistor2的接地端通过第八微带线MLine8接地。