[实用新型]一种结构改良的电源

权利要求书

1.一种结构改良的电源，其特征在于：包括上壳(1)和下壳(2)，所述上壳(1)和所述下壳(2)之间扣合并形成容置腔(3)，所述上壳(1)下端侧壁开设有上缺口(11)，所述下壳(2)上端侧壁开设有与所述上缺口(11)相对应的下缺口(21)，所述上缺口(11)和所述下缺口(21)之间形成与所述容置腔(3)相连通的过线孔(30)，所述容置腔(3)内设有PCB板(4)，所述PCB板(4)上电连接有依次穿过所述容置腔(3)和所述过线孔(30)的电源线(5)，所述电源线(5)上套接有密封件(6)，所述密封件(6)分别与所述上缺口(11)和所述下缺口(21)卡接配合并用于密封所述过线孔(30)。

2.根据权利要求1所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述密封件(6)包括依次贴合的外封板(61)和内卡接座(62)，所述外封板(61)封堵所述过线孔(30)，所述内卡接座(62)置于所述容置腔(3)内，并分别与所述上缺口(11)和所述下缺口(21)卡接。

3.根据权利要求2所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述上缺口(11)相对的两侧壁上设有往所述下缺口(21)侧延伸的第一上插接柱(111)和第二上插接柱(112)，所述下缺口(21)相对的两侧壁上设有往所述上缺口(11)侧延伸的第一下插接柱(211)和第二下插接柱(212)，所述内卡接座(62)与所述外封板(61)相邻的侧壁上间隔开设有沿竖直方向设置的第一插接通槽(621)和第二插接通槽(622)，且所述第一插接通槽(621)能分别与所述第一上插接柱(111)和所述第一下插接柱(211)插接配合，所述第二插接通槽(622)能分别与所述第二上插接柱(112)和所述第二下插接柱(212)插接配合。

4.根据权利要求3所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述第一上插接柱(111)、第二上插接柱(112)、所述第一下插接柱(211)和所述第二下插接柱(212)的边缘均设有向外扩张的限位凸沿(10)，所述第一插接通槽(621)和所述第二插接通槽(622)均设有与所述凸沿相适配的限位缺口(620)。

5.根据权利要求2所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述上缺口(11)上端设有往所述容置腔(3)侧延伸的上卡接勾脚(113)，所述内卡接座(62)靠近所述外封板(61)侧的上端设有与所述上卡接勾脚(113)卡接配合的上卡接钩槽(623)；

所述下缺口(21)下端设有往所述容置腔(3)侧延伸的下卡接勾脚(213)，所述内卡接座(62)靠近所述外封板(61)侧的下端设有与所述下卡接勾脚(213)卡接配合的下卡接钩槽(624)。

6.根据权利要求5所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述上卡接勾脚(113)的右侧设有朝右上侧倾斜的上勾脚斜坡(1131)，所述上卡接钩槽(623)的左侧设有朝左下侧倾斜的上钩槽斜坡(6231)；

所述下卡接勾脚(213)的右侧设有朝右下侧倾斜的下勾脚斜坡(2131)，所述下卡接钩槽(624)的左侧设有朝左上侧倾斜的下钩槽斜坡(6241)。

7.根据权利要求2所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述内卡接座(62)的横截面大于所述外封板(61)的横截面。

8.根据权利要求2所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述内卡接座(62)的材质为硅胶。

9.根据权利要求1所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述下壳(2)的上端边沿设有向上凸起的卡接凸起(22)，所述上壳(1)下端边沿设有向上凹陷并与所述卡接凸起(22)相适配的卡接凹槽(12)，所述卡接凸起(22)上设置有超声波焊接线(23)，所述卡接凸起(22)上的超声波焊接线(23)通过超声波焊接固定在所述卡接凹槽(12)中。

10.根据权利要求1所述的一种结构改良的电源，其特征在于：所述上壳(1)和所述下壳(2)的连接处设有撬动缝隙(24)。