[实用新型]一种屏蔽栅MOSFET有效
| 申请号： | 202122114620.6 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN216288470U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 mosfet | ||
1.一种屏蔽栅MOSFET，其特征在于，包括第一导电类型的漂移区、位于所述漂移区的顶部的沟槽以及位于所述沟槽的两侧的第二导电类型的体区；
所述沟槽内设有栅极和屏蔽栅，所述栅极位于所述屏蔽栅的上方，所述体区的顶部靠近所述栅极的一侧设有第一导电类型的第一掺杂区；所述第一掺杂区的顶面设有源极，所述体区连接所述源极；所述屏蔽栅连接所述源极；
所述栅极与所述第一掺杂区之间设有第一氧化层，所述栅极与所述体区之间设有栅氧化层，所述屏蔽栅与所述沟槽的内壁之间设有第二氧化层，所述栅极、所述第一氧化层和所述源极的顶面平齐，其中，所述第一氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述第一掺杂区的结深大于或等于所述第一氧化层在所述沟槽中的深度。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述体区的结深小于或等于所述栅极在所述沟槽中的深度。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述第一氧化层的厚度小于或等于所述第二氧化层的厚度。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述栅极与所述屏蔽栅之间设有第三氧化层，所述第三氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。
6.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述体区的顶部还设有第二导电类型的第二掺杂区，所述体区通过所述第二掺杂区和所述源极连接。
7.根据权利要求6所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻设置，或者所述第二掺杂区从所述第一掺杂区的中间穿过。
8.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述屏蔽栅MOSFET还包括第四氧化层；所述第四氧化层位于所述栅极的顶面，将所述源极和所述栅极隔离。
9.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述漂移区的底面设有第一导电类型的第三掺杂区；
所述第三掺杂区的底面设有漏极。
10.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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