[实用新型]一种VCSEL有效
| 申请号： | 202122114534.5 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN216085699U | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 潘德烈 | 申请（专利权）人： | 深圳市德明利光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵;吕诗 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel | ||
【权利要求书】：
1.一种VCSEL，其特征在于，包括从上至下依次层叠的p-DBR层、MQW、n-DBR层、n型奥姆接触层和薄型砷化镓衬底，所述薄型砷化镓衬底的下方通过钼铟共金键合形成连接氮化铝衬底的钼金属层。
2.根据权利要求1所述的一种VCSEL，其特征在于，所述p-DBR层和所述MQW形成一次蚀刻台面。
3.根据权利要求2所述的一种VCSEL，其特征在于，所述一次蚀刻台面上设有p电极。
4.根据权利要求3所述的一种VCSEL，其特征在于，所述n-DBR层形成二次蚀刻台面。
5.根据权利要求4所述的一种VCSEL，其特征在于，所述n型奥姆接触层形成三次蚀刻台面。
6.根据权利要求5所述的一种VCSEL，其特征在于，所述三次蚀刻台面上设有n电极。
7.根据权利要求6所述的一种VCSEL，其特征在于，还包括抗反射镀膜，所述抗反射镀膜覆盖在所述一次蚀刻台面、所述二次蚀刻台面、所述三次蚀刻台面三者露出的上表面和侧面并通过蚀刻使所述p电极和所述n电极露出，所述抗反射镀膜延伸覆盖至所述薄型砷化镓衬底露出的上表面。
8.根据权利要求7所述的一种VCSEL，其特征在于，所述抗反射镀膜的制作材料包括SiOxNy或SiN。
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