[实用新型]一种HJT太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜的银浆栅线电极，设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。本实用新型在栅线电极上方涂覆纳米银线层，可提高透明导电层的导电性，且在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度以及透明导电氧化物薄膜的厚度，以减少HJT电池中银浆、透明导电氧化物的使用量，达到增效、降本的作用。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种HJT光太阳能电池。

背景技术

晶体硅异质结太阳电池(简称HJT电池)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，具综合测算，在25年全生命周期综合发电量较PERC高15％-20％，将取代PERC成为第三代电池片技术。

增效、降本一直是光伏电池领域追求的目标，在HJT电池中，其正面及背面均需制作栅极，使用的银浆量多，且由于受工艺温度的限制，使用的银浆为价格较高的低温银浆，因此HJT电池较之其它类型的光伏电池在增效、降本方面也具有更大的空间。目前主要通过替换栅极的材料或改变栅极的结构来减少低温银浆的使用量以降低成本，例如：专利CN204332972 U公开了在ITO透明导电膜上印刷纳米银线作为细栅电极，以减少银浆用量、增加透过率，由纳米银线墨水制备的细栅，其电阻及透过率均随纳米银线含量的增加而降低，若要保证一定的透过率，需控制纳米银线的含量，则必然会损失其导电性，进而影响电池的效率；此外，使用铜线替代低温银浆作为金属导线应用于硅基异质结太阳能电池(专利：CN207009459 U)，但铜的化学性质活泼，易被氧化或腐蚀，在表面形成氧化铜等物质，而这类物质的形成会大大降低铜线的导电性。

发明内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种HJT太阳能电池，通过在电池的正、背面增加一层纳米银线层，可提高透明导电层的导电性，在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度及透明导电氧化物薄膜的厚度，以减少HJT电池中银浆与透明导电氧化物的使用量，从而达到降本、增效的作用。

本实用新型提供了一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜上的银浆栅线电极，银浆栅线电极包含粗栅和细栅；还包括设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。

进一步地，所述纳米银线层的厚度为10-500nm。

进一步地，所述纳米银线层的厚度为20-100nm。

进一步地，所述纳米银线层的透过率为95％-99.9％。

进一步地，所述粗栅的线宽为0.1-5mm。

进一步地，所述粗栅的线距为5-100mm。

进一步地，所述细栅的线宽为20-100μm。

进一步地，所述细栅的线距为0.5-10mm。

进一步地，所述透明导电氧化物薄膜的厚度为10-150nm。

纳米银线层的增加可降低透明导电氧化物薄膜与栅极的接触电阻，在满足导电性能的前提下，可适当降低透明导电氧化物薄膜的溅射厚度，节省成本的同时可增加透明导电氧化物薄膜的透过率。

进一步地，所述透明导电氧化物薄膜的透过率为95％-99.9％。