[实用新型]一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构

权利要求书

1.一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构，其特征在于，所述非周期光子多层结构包括两个呈宇称-时间对称分布的Thue-Morse序列，所述Thue-Morse序列S_N的迭代规则为：当N＝1时，S₂＝A，当N≥2时S_N＝S_N-1(S_N-1中的A由AB代替，S_N-1中的B由BA代替)，A为第一电介质层；B为第二电介质层；其中下标N为序列的序数，第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，所述Thue-Morse序列中还存在两层石墨烯薄片层，所述石墨烯薄片层分别嵌入在相邻两个第二电介质层之间；

位于非周期光子多层结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为n_a；位于非周期光子多层结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为n_a'；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为n_b；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为n_b'；

n_a＝n_A+0.01qi，n_a'＝n_A-0.01qi，n_b＝n_B-0.01qi，n_b'＝n_B+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，n_A为第一电介质层折射率的实部，n_B为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电解质层的厚度均为各自的1/4光学波长；损耗可以通过掺杂金属离子来实现，增益通过非线性二波混频得到，入射光为横磁波，从多层电介质结构的任一侧垂直入射；

当某波长值的入射光正、反向入射时，0反射率(EP)点轨迹曲线发生分裂，这些EP点在归一化频率轴上的位置是增益损耗因子的函数，每个EP点都是光子多层在PT对称相和非对称相之间相互转换的临界点；在这些转换临界点，反射系数相位(φrf+φrb)/2在都会产生±π/2的跳变，可以用于相位编码；同时，可改变增益-损耗因子或石墨烯的化学势来实现对可隐身入射光的波长调整。

2.根据权利要求1所述一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构，其特征在于，所述第一电介质层为二氧化硅，所述第二电介质层为硅。

3.根据权利要求1或2所述一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构，其特征在于，所述石墨烯薄片层的厚度为0.001μm。