[实用新型]半导体存储装置

说明书

本实用新型公开了半导体存储装置，其包含衬底、多条位线，以及多个绝缘结构。位线设置在衬底上并延伸于第一方向上，位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，第二位线设置在所有的第一位线的一侧。绝缘结构设置在衬底上，各个绝缘结构包含多个绝缘端部以及延伸于第二方向上的多个绝缘鳍片，第二方向垂直第一方向，其中，绝缘端部中至少一个完全位在第二位线内。藉此，本实用新型可在简化的制作工艺下形成组件可靠度较佳的半导体存储装置，以改善其效能。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体存储装置，尤其是涉及一种动态随机存储器装置。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之DRAM单元。

一般来说，具备凹入式闸极结构之DRAM单元会包含一晶体管组件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器组件之效能及可靠度。

实用新型内容

本实用新型之一目的在于提供一种半导体存储装置及其形成方法，系借助自对准双重图案化制作工艺形成多个绝缘结构，部分镶嵌于一般位线以及虚置位线。藉此，可利用该些绝缘结构更有效地隔离各个插塞，并且在简化的制作工艺下，形成组件可靠度较佳的半导体存储装置，以改善其效能。

为达上述目的，本实用新型之一实施例提供一种半导体存储装置，其包含衬底、多条位线，以及多个绝缘结构。所述位线设置在所述衬底上并相互平行地延伸于第一方向上，所述位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，所述第二位线设置在所有的所述第一位线的一侧。所述绝缘结构设置在所述衬底上，各个所述绝缘结构包含多个绝缘端部以及延伸于第二方向上的多个绝缘鳍片，所述第二方向垂直所述第一方向，其中，所述绝缘端部中至少一个完全位在所述第二位线内。

为达上述目的，本实用新型之一实施例提供一种半导体存储装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供一衬底，在所述衬底上形成延伸于第一方向上的多条位线。所述位线包括多条第一位线以及至少一条第二位线，所述第二位线形成在所有的所述第一位线的一侧。接着，在所述衬底上形成多个绝缘结构，各个所述绝缘结构包含多个绝缘端部以及延伸于第二方向上的多个绝缘鳍片。所述第二方向垂直所述第一方向，其中，所述绝缘端部中至少一个完全位在所述第二位线内。

附图说明

图1至图3绘示本实用新型第一实施例中半导体存储装置的示意图；其中

图1为本实用新型的半导体存储装置的俯视示意图；

图2为图1沿切线A-A’的剖面示意图；以及

图3为图1沿切线B-B’的剖面示意图。

图4绘示本实用新型另一实施例中半导体存储装置的剖面示意图。

图5绘示本实用新型第二实施例中半导体存储装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100 衬底

101 有源区

103 浅沟渠隔离

108 沟渠

120 字线

111 介电层