[实用新型]一种单声道耳机头中改善芯片复位性能的电路有效
| 申请号: | 202121979714.3 | 申请日: | 2021-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN215772533U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 游建 | 申请(专利权)人: | 宁波慧方电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12;H02M1/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315499 浙江省宁波市余姚市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单声道 耳机 改善 芯片 复位 性能 电路 | ||
1.一种单声道耳机头中改善芯片复位性能的电路,包括与DC插座(1)插接的2.5mm耳机头(2)以及MCU控制器(3),其特征在于:在MCU控制器(3)上连接有芯片复位单元(4),所述的芯片复位单元(4)电连接在2.5mm耳机头(2)与DC插座(1)连接的供电回路上,所述的芯片复位单元(4)包括电阻(R1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、二极管(D1)以及电解电容(EC1),所述的电阻(R1)、第一电容(C1)串联在DC插座(1)的插座供电电源正极端(VCC)与接地端(GND)之间并构成RC滤波电路(5),所述RC滤波电路(5)用于吸收电源输入侧的瞬态高压,所述电阻(R1)、第一电容(C1)连接的供电端与二极管(D1)的正极端连接,所述二极管(D1)的负极端与MCU控制器(3)连接并作为MCU控制器(3)的芯片供电端(VDD),所述二极管(D1)的负极端与接地端(GND)之间连接有用于滤除2.5mm耳机头(2)输出侧的低频干扰信号的电解电容(EC1),所述第二电容(C2)并联在所述电解电容(EC1)上。
2.根据权利要求1所述的一种单声道耳机头中改善芯片复位性能的电路,其特征在于:所述DC插座(1)内设置有第一电源极片(1-1)、第二电源极片(1-2)以及第三电源极片(1-3),所述第一电源极片(1-1)、第二电源极片(1-2)间隔设置,所述第三电源极片(1-3)与第二电源极片(1-2)连通。
3.根据权利要求2所述的一种单声道耳机头中改善芯片复位性能的电路,其特征在于:所述的2.5mm耳机头(2)包括与第一电源极片(1-1)以及第二电源极片(1-2)配合的第四电源极片(2-1),在第四电源极片(2-1)的后端连接有导线(2-2)。
4.根据权利要求3所述的一种单声道耳机头中改善芯片复位性能的电路,其特征在于:在第四电源极片(2-1)与导线(2-2)配合外套有绝缘套(2-3)。
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