[实用新型]一种PIM器件的产品内部结构

权利要求书

1.一种PIM器件产品的内部结构，其特征在于：包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件（1）；

所述覆铜陶瓷基板包括基板本体（2）和铜板单元，铜板单元贴合并固定于基板本体（2）上，铜板单元上布设有分别与三相整流单元、三相逆变单元和温控检测NTC器件（1）对应的极点；

所述三相整流单元包括布设于铜板单元上的二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）、二极管芯片Ⅲ（5）、二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片Ⅴ（7）和二极管芯片Ⅵ（8），二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）、二极管芯片Ⅲ（5）、二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片Ⅴ（7）和二极管芯片Ⅵ（8）的正极分别连接有clip铜片（9），二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）、二极管芯片Ⅲ（5）、二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片Ⅴ（7）和二极管芯片Ⅵ（8）的负极连接于铜板单元上，二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）和二极管芯片Ⅲ（5）的负极通过铜板单元连接，二极管芯片Ⅰ（3）正极上的clip铜片（9）通过铜板单元与二极管芯片Ⅳ（6）的负极连接，二极管芯片Ⅱ（4）正极上的clip铜片（9）通过铜板单元与二极管芯片Ⅴ（7）的负极连接，二极管芯片Ⅲ（5）正极的clip铜片（9）通过铜板单元与二极管芯片Ⅵ（8）的负极连接，二极管芯片Ⅳ（6）正极上的clip铜片（9）、二极管芯片Ⅴ（7）正极上的clip铜片（9）和二极管芯片Ⅵ（8）正极上的clip铜片（9）通过铜板单元连接；

所述三相逆变单元包括IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片Ⅵ（15），IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片Ⅵ（15）的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17），IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片Ⅵ（15） 的集电极连接于铜板单元上，IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）和IGBT芯片Ⅲ（12）的集电极通过铜板单元连接，IGBT芯片Ⅰ（10）上的clip发射极铜片（16）通过铜板单元与IGBT芯片Ⅳ（13）的集电极连接，IGBT芯片Ⅱ（11）上的clip发射极铜片（16）通过铜板单元与IGBT芯片Ⅴ（14）的集电极连接，IGBT芯片Ⅲ（12）上的clip发射极铜片（16）通过铜板单元与IGBT芯片Ⅵ（15）的集电极连接，IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片Ⅵ（15） 上的clip控制极铜片（17）分别与铜板单元连接，IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片Ⅴ（14）和IGBT芯片上的clip发射极铜片（16）分别与铜板单元连接；

所述制动单元包括二极管芯片Ⅶ（18）和IGBT芯片Ⅶ（19），二极管芯片Ⅶ（18）的负极和IGBT芯片Ⅶ（19）的集电极分别连接于铜板单元上，二极管芯片Ⅶ（18）的正极连接有clip铜片（9），IGBT芯片Ⅶ（19）的发射极和控制极都分别设置有clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17），二极管芯片Ⅶ（18）正极的clip铜片（9）通过铜板单元与IGBT芯片Ⅶ（19）的集电极连接，IGBT芯片Ⅶ（19）上的clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）分别与铜板单元连接；

所述温控检测NTC器件（1）的两端分别连接于铜板单元上。