[实用新型]基于霍尔元件的缺陷检测装置

权利要求书

1.一种基于霍尔元件的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测装置包括：

基板；

磁传感器，所述磁传感器位于基板的一个表面并且包括成预定图案排布的至少两个霍尔元件；

环形激励线圈，位于所述磁传感器的周围；

信号采集模块，临近磁传感器并且位于基板的周边位置；

对信号采集模块发送的信号数据进行处理分析的数据处理分析模块。

2.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述至少两个霍尔元件包括多个霍尔元件，所述多个霍尔元件呈线性排布、矩形排布、圆形排布、四象限分布、线阵列排布或面阵列排布。

3.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述数据处理分析模块位于另一带有IC电路的电路板上；或

所述数据处理分析模块位于所述基板上。

4.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述基板是刚性的玻璃基板、金属基板、石英衬底、氧化铝衬底、氮化铝衬底或半导体Si晶圆基板。

5.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述基板是由聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的柔性基板。

6.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述磁传感器通过外延生长方式直接位于基板上。

7.根据权利要求1所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述磁传感器由薄膜转移工艺通过粘结层把霍尔元件的磁感应部键合在基板上。

8.根据权利要求7所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述霍尔元件包括InSb、GaAs、InAs、InGaAs或InGaP类型的磁感应部。

9.根据权利要求6所述的缺陷检测装置，其中，在薄膜转移工序之前，所述霍尔元件包括半导体单晶衬底、晶格缓冲牺牲层和磁感应部；

在薄膜转移工序之后，所述霍尔元件包括位于粘结层上的磁感应部，移除半导体单晶衬底和晶格缓冲牺牲层的所述磁感应部的迁移率大于50000cm²/Vs且小于78000cm²/Vs，磁感应部的厚度为10nm-9μm。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的缺陷检测装置，其特征在于，

所述磁传感器还包括保护层，所述保护层覆盖所述磁感应部和粘结层的全部，但至少暴露出霍尔元件的电极部的一部分。