[实用新型]一种光学元件生产用晶体生长装置有效
申请号: | 202121804366.6 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN215713531U | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 文仁仕 | 申请(专利权)人: | 四川亚斯光学有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
代理公司: | 合肥上博知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人: | 郭堃 |
地址: | 618000 四川省德*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 元件 生产 晶体生长 装置 | ||
本实用新型适用于光学元件生产加工技术领域,提供了一种光学元件生产用晶体生长装置,包括箱体,所述箱体的内部设有U形支撑台,所述U形支撑台的内部呈中空设置,所述U形支撑台的下方设有加热箱,所述加热箱与箱体的内壁固定连接,所述加热箱内部设有加热管,所述加热箱与U形支撑台之间设有导通管,所述U形支撑台、导通管和加热箱的内部相连通,所述U形支撑台的内侧壁贯通开设有导热孔,所述U形支撑台、导通管和加热箱的外部设有冷却腔,相对于现有的晶体生长装置加热效果差,且冷却速度慢的问题,本实用新型中可以有效地对坩埚进行均匀加热,且可以快速冷却,使用方便,大大提高了晶体生长装置的使用效果。
技术领域
本实用新型属于光学元件生产加工技术领域,尤其涉及一种光学元件生产用晶体生长装置。
背景技术
光学元件包括棱镜、反光镜、滤光片、波片、液晶光屏平面、激光镜片等,广泛应用于光电仪器、成像仪器、半导体、激光系统和工业应用等光、电行业领域。
光学元件在生产加工过程中,需要进行晶体生长,现有的晶体生长装置加热效果差,且冷却速度慢,不方便使用,大大降低了晶体生长装置的使用效果。
实用新型内容
本实用新型提供一种光学元件生产用晶体生长装置,旨在解决现有的晶体生长装置加热效果差,且冷却速度慢的问题。
本实用新型是这样实现的,一种光学元件生产用晶体生长装置,包括箱体,所述箱体的内部设有U形支撑台,所述U形支撑台的内部呈中空设置,所述U 形支撑台的下方设有加热箱,所述加热箱与箱体的内壁固定连接,所述加热箱内部设有加热管,所述加热箱与U形支撑台之间设有导通管,所述U形支撑台、导通管和加热箱的内部相连通,所述U形支撑台的内侧壁贯通开设有导热孔,所述U形支撑台、导通管和加热箱的外部设有冷却腔,所述冷却腔的顶部设有第一水管,所述第一水管贯通箱体,并延伸至外部,所述冷却腔的底部设有第二水管,所述第二水管贯通箱体,并延伸至外部。
优选的,所述箱体的顶部一侧设有第一连通管,所述箱体的底部一侧设有第二连通管。
优选的,所述第二连通管为抽真空管,所述第一连通管为氮气通入管。
优选的,所述第一水管为出水管,所述第二水管为进水管。
优选的,所述冷却腔的外壁与箱体的内壁之间对称设有连接柱。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的一种光学元件生产用晶体生长装置,通过将坩埚放置在U形支撑台内,加热管加热,将热量通过导通管传递至U形支撑台的内部,然后通过导热孔将热量均匀地传递至坩埚,对坩埚进行均匀加热,当晶体生长结束后,通过第一水管、第二水管和冷却腔相互配合,在冷却腔的内部形成循环水流,进行快速冷却,相对于现有的晶体生长装置加热效果差,且冷却速度慢的问题,本方案中可以有效地对坩埚进行均匀加热,且可以快速冷却,使用方便,大大提高了晶体生长装置的使用效果。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为图1中A位置处结构放大示意图;
图中:1、箱体;2、U形支撑台;3、导通管;4、加热箱;5、加热管;6、导热孔;7、冷却腔;8、第一水管;9、第二水管;10、第一连通管;11、第二连通管;12、连接柱。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
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