[实用新型]一种晶体真空镀膜器设备有效

专利信息
申请号: 202121783535.2 申请日: 2021-08-02
公开(公告)号: CN215288946U 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 李经让;刘丽华 申请(专利权)人: 苏州杭晶电子科技有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/50
代理公司: 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 代理人: 朱亲林
地址: 215124 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 真空镀膜 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种晶体真空镀膜器设备,包括镀膜箱、支撑机构,所述镀膜箱的后内侧面活动连接有转杆,所述转杆的侧表面固定连接有镀膜头,所述镀膜箱的内顶部固定连接有液压缸,所述液压缸的输出端固定连接有伸缩杆,所述伸缩杆远离液压缸的一端固定连接有齿板,所述转杆的侧表面固定连接有齿环,所述镀膜箱的上表面固定连接有第一电机,所述第一电机的输出端固定连接有第一旋转轴。本实用新型,通过设置连接软管、齿板、齿环,能够对镀膜头进行角度调整,在对晶片进行镀膜时可以更加地快速,提高镀膜的速率,通过设置第一旋转轴、转环、第二旋转轴,能够使晶片在镀膜时镀膜的更加均匀,提高晶片的镀膜效果。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜器设备领域,尤其涉及一种晶体真空镀膜器设备。

背景技术

晶体在使用时,需要对晶体的电极等部件进行银层镀膜,以防止晶体氧化,导致晶体使用寿命缩减,在镀膜时需要用到真空镀膜设备,真空镀膜设备主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。

目前一些真空镀膜器设备无法均匀对晶体进行镀膜,导致晶体表面镀膜的效果较差,而且一些真空镀膜器设备的镀膜速率较慢,导致设备的实用性降低。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种晶体真空镀膜器设备。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种晶体真空镀膜器设备,包括镀膜箱、支撑机构,所述镀膜箱的后内侧面活动连接有转杆,所述转杆的侧表面固定连接有镀膜头,所述镀膜箱的内顶部固定连接有液压缸,所述液压缸的输出端固定连接有伸缩杆,所述伸缩杆远离液压缸的一端固定连接有齿板,所述转杆的侧表面固定连接有齿环;

所述镀膜箱的上表面固定连接有第一电机,所述第一电机的输出端固定连接有第一旋转轴,所述第一旋转轴的侧表面固定连接有连接块,所述连接块的内部固定连接有第二电机,所述第二电机的输出端固定连接有第二旋转轴,所述连接块的侧表面活动连接有转环;

所述连接块的左右两端均设置连接板,所述连接板的内侧面固定连接有弹簧,所述弹簧的底端固定连接有压板,所述连接板的有右侧面固定连接有连接杆。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述支撑机构包含支撑板、支撑柱、横杆,所述支撑板与镀膜箱的下表面固定连接,所述支撑柱与支撑板的底端固定连接,所述横杆与支撑柱的侧表面固定连接。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述支撑板的上表面且位于镀膜箱的左侧固定连接有箱体,所述箱体的右侧面固定连接有连接软管。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述连接软管远离箱体的一端延伸至箱体的内部,且与镀膜头的输入端相连接。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述支撑板的上表面且位于镀膜箱的右侧固定连接有真空泵,所述真空泵的输入端固定连接有连接管,所述连接管远离真空泵的一端延伸至镀膜箱的内部。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述第二旋转轴远离第二电机的一端与连接板的右侧面固定连接。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述齿板与齿环啮合,所述连接杆远离连接板的一端与转环的外侧面固定连接。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述第一旋转轴远离第一电机的一端延伸至镀膜箱的内部,且位于镀膜头的右侧。

本实用新型具有如下有益效果:

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