[实用新型]一种硬掩模

权利要求书

1.一种硬掩模，其特征在于，包括：

衬底(10)，所述衬底(10)的表面形成有第一绝缘层(11)，所述衬底(10)和所述第一绝缘层(11)上形成有贯穿所述衬底(10)和所述第一绝缘层(11)的第一图形线孔(12)；

图形设置层(20)，形成于所述第一绝缘层(11)的远离所述衬底(10)的表面上，且所述图形设置层(20)上形成有贯穿所述图形设置层(20)的第二图形线孔(21)；

所述第二图形线孔(21)与所述第一图形线孔(12)连通，所述第二图形线孔(21)的侧壁上形成有线宽限制层(30)，所述第二图形线孔(21)内的所述线宽限制层(30)限定目标图形的线宽。

2.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，所述第一图形线孔(12)的侧壁上形成有参数控制层(40)。

3.根据权利要求2所述的硬掩模，其特征在于，所述图形设置层(20)为硅层，所述线宽限制层(30)为二氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的硬掩模，其特征在于，所述衬底(10)为硅衬底，所述参数控制层(40)为二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的硬掩模，其特征在于，所述线宽限制层(30)和所述参数控制层(40)同时生成。

6.根据权利要求2所述的硬掩模，其特征在于，所述第二图形线孔(21)的线宽小于或等于所述第一图形线孔(12)的线宽。

7.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，所述图形设置层(20)远离所述第一绝缘层(11)的表面形成有非金属凸点(22)。

8.根据权利要求7所述的硬掩模，其特征在于，所述非金属凸点(22)为氮化硅或者二氧化硅中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，所述第一绝缘层(11)、所述图形设置层(20)和所述衬底(10)三者的厚度依次增大。

10.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，所述第一绝缘层(11)的厚度的100nm～1000nm；所述图形设置层(20)的厚度为3um～10um；所述衬底(10)的厚度为100um～700um。