[实用新型]一种高频高压整流硅堆有效

专利信息
申请号: 202121750308.X 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN216120272U 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 吕晋萍 申请(专利权)人: 西安卫光科技有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48;H01L25/07
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 贺小停
地址: 710077 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 高压 整流
【权利要求书】:

1.一种高频高压整流硅堆,其特征在于,包括硅堆组件、封装层和螺纹电极;硅堆组件(1)两端分别点焊有螺纹电极(2),硅堆组件(1)和螺纹电极(2)均设置在封装层内;

硅堆组件(1)包括若干个玻璃钝化封装二极管,若干个玻璃钝化封装二极管串联连接;

螺纹电极(2)包括电极主体和连接件,连接件设置在电极主体端部。

2.根据权利要求1所述的一种高频高压整流硅堆,其特征在于,若干个玻璃钝化封装二极管成S型、交叉型、双层或多层排布。

3.根据权利要求1所述的一种高频高压整流硅堆,其特征在于,电极主体和连接件通过铅锡焊料焊接;连接件另一端连接硅堆组件。

4.根据权利要求1所述的一种高频高压整流硅堆,其特征在于,玻璃钝化封装二极管之间通过点焊连接。

5.根据权利要求1所述的一种高频高压整流硅堆,其特征在于,封装层为环氧树脂(3),环氧树脂(3)完全包裹硅堆组件(1)和螺纹电极(2)。

6.根据权利要求1所述的一种高频高压整流硅堆,其特征在于,螺纹电极(2)和硅堆组件(1)之间为点焊连接。

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