[实用新型]一种组合型多卫星降频器

权利要求书

1.一种组合型多卫星降频器，其特征在于所述组合型多卫星降频器包括降频器A上半壳、降频器B上半壳、降频器A下半壳、降频器B下半壳、上轨道、下轨道、降频器A和降频器B；

所述降频器A设置在降频器A下半壳上，所述降频器A上半壳盖装在降频器A下半壳上；

所述降频器B设置在降频器B下半壳上，所述降频器B上半壳盖装在降频器B下半壳上；

所述降频器B上半壳上设有上轨道；所述降频器A上半壳上设有上轨道插入口；所述上轨道插入上轨道插入口形成滑动连接；

所述降频器B下半壳上设有下轨道；所述降频器A下半壳上设有下轨道插入口；所述下轨道插入下轨道插入口形成滑动连接；

所述降频器A包括馈源A、波导管A、壳体A、DISEQC开关降频电路、AP1输出端口和AP2输出端口；

所述DISEQC开关降频电路设在壳体内；

所述波导管A的第一固定端与馈源A的信号输出端连接，第二固定端与壳体A固定连接；

所述壳体A上还设有P1输出端口和AP2输出端口，所述P1输出端口和AP2输出端口均与DISEQC开关降频电路的输出端电性连接；

所述降频器B包括馈源B、波导管B、壳体B、降频电路和BP1输出端口；

所述波导管B的第一固定端与馈源B的信号输出端连接，第二固定端与壳体B固定连接；

所述壳体B上还设有BP1输出端口，所述BP1输出端口与降频电路的输出端电性连接；

降频器B的降频电路通过BP1输出端用同轴电缆连接上降频器A的AP1输出端口与DISEQC开关降频电路电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述DISEQC开关降频电路包括水平信号放大模块A、垂直信号放大模块A、晶振振荡器A、DISEQC切换控制模块A、公共端信号放大模块A和CMOS卫星调谐器A；

所述水平信号放大模块A与垂直信号放大模块A依次和公共放大模块A电性连接；

所述CMOS卫星调谐器A与公共放大模块A电性连接；

所述CMOS卫星调谐器A的输入端与所述公共放大模块A的输出端电性连接，所述CMOS卫星调谐器A的输出端与DISEQC切换控制模块电性连接，所述DISEQC切换控制模块电性连接有AP1输出端口和AP2输出端口；

所述晶振振荡器A与所述CMOS卫星调谐器A电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述DISEQC开关降频电路上还设有降频器A电源模块，所述降频器A电源模块与所述CMOS卫星调谐器A和DISEQC切换控制模块A电性连接。

4.根据权利要求1所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述降频器B的降频电路包括水平信号放大模块B、垂直信号放大模块B、公共端信号放大模块B、CMOS卫星调谐器B和晶振振荡器B；

所述降频器B水平信号放大模块B与垂直信号放大模块B依次电性连接公共放大模块B；

所述CMOS卫星调谐器B的输入端与所述公共放大模块B的输出端电性连接，所述CMOS卫星调谐器B的输出端与BP1输出端口电性连接；

所述晶振振荡器B与所述CMOS卫星调谐器B电性连接。

5.根据权利要求4所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述降频器B的降频电路上还设有降频器B电源模块，所述降频器B电源模块与所述CMOS卫星调谐器B电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述下轨道为线槽型轨道，所述同轴电缆在降频器B下半壳内连接BP1输出端后，穿入线槽型轨道，通过下轨道插入口进入降频器A下半壳后通过AP1输出端口与DISEQC开关降频电路电性连接。

7.根据权利要求1所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述上轨道表面设有刻度尺。

8.根据权利要求1所述的一种组合型多卫星降频器，其特征在于：所述降频器A下半壳上设有下轨道固定螺丝。