[实用新型]一种晶圆减薄用抛光装置有效
| 申请号: | 202121738404.2 | 申请日: | 2021-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN215470224U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 贺贤汉;佐藤泰幸;原英樹;杉原一男 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号: | B24B19/22 | 分类号: | B24B19/22;B24B41/06;B24B41/04;B24B47/12;B24B47/22 |
| 代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 李坤 |
| 地址: | 201900 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆减薄用 抛光 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆减薄用抛光装置,包括底板,所述底板的上表面固定连接有四个呈矩形分布的支撑杆,四个所述支撑杆的顶端固定连接有顶板,所述底板的上表面设置有升降机构,所述升降机构的上方设置有抛光机构,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置限位机构,可以在对晶圆进行抛光前,换上与晶圆预定厚度尺寸相适配的限位块,即可预设出晶圆抛光后的厚度尺寸,在对晶圆进行抛光时,限位块会随着晶圆的变薄逐渐向限位环靠近,最终抵接在限位环光滑的底面上,从而终止晶圆的抛光工序,且限位块可以方便快捷的进行更换,从而可以快速的达到精确控制抛光后晶圆厚度的目的。
技术领域
本实用新型涉及晶圆抛光技术领域,具体为一种晶圆减薄用抛光装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,晶圆从硅晶板上切片后,需要将其抛光打磨到合适的厚度,目前,现有技术中的抛光装置在对晶圆进行抛光时,不能够精确的控制抛光后晶圆的厚度,为了解决现有技术中的问题,因此本实用新型提出一种晶圆减薄用抛光装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆减薄用抛光装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆减薄用抛光装置,包括底板,所述底板的上表面固定连接有四个呈矩形分布的支撑杆,四个所述支撑杆的顶端固定连接有顶板,所述底板的上表面设置有升降机构,所述升降机构的上方设置有抛光机构,所述抛光机构的下方设置有四个呈圆形阵列分布的限位机构。
优选的,所述升降机构包括电动伸缩杆、连接块、弹簧槽、复位弹簧、插块、晶圆卡板和晶圆,所述电动伸缩杆固定连接在底板的上表面,所述连接块固定连接在电动伸缩杆的伸缩端上,所述弹簧槽开设在连接块的内部,所述复位弹簧滑动连接在弹簧槽中,所述插块滑动插接在连接块的上表面,所述晶圆卡板固定连接在插块的顶端,所述晶圆卡接在晶圆卡板的上表面。
优选的,所述抛光机构包括电机、传动杆、抛光片和限位环,所述电机固定连接在顶板的上表面,所述传动杆固定连接在电机的输出端上,所述传动杆的底端转动插接在顶板的上表面并延伸至顶板的下方,所述抛光片固定连接在传动杆的底端,所述限位环固定套接在抛光片的外侧壁上。
优选的,所述抛光片和限位环的底部均处于同一水平高度。
优选的,所述限位机构包括U型卡槽和限位块,所述U型卡槽固定连接在晶圆卡板的外侧壁上,所述限位块滑动插接在U型卡槽的内侧壁中。
优选的,所述U型卡槽的顶部与晶圆的底部均处于同一水平高度。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置限位机构,可以在对晶圆进行抛光前,换上与晶圆预定厚度尺寸相适配的限位块,即可预设出晶圆抛光后的厚度尺寸,在对晶圆进行抛光时,限位块会随着晶圆的变薄逐渐向限位环靠近,最终抵接在限位环光滑的底面上,从而终止晶圆的抛光工序,且限位块可以方便快捷的进行更换,从而可以快速的达到精确控制抛光后晶圆厚度的目的。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图;
图2为本实用新型中限位机构的立体结构示意图;
图3为本实用新型的主视结构示意图。
图中:1、底板;2、支撑杆;3、顶板;4、升降机构;41、电动伸缩杆;42、连接块;43、弹簧槽;44、复位弹簧;45、插块;46、晶圆卡板;47、晶圆;5、抛光机构;51、电机;52、传动杆;53、抛光片;54、限位环;6、限位机构;61、U型卡槽;62、限位块。
具体实施方式
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