[实用新型]IGBT模块的管状铆钉及IGBT模块有效
| 申请号: | 202121723223.2 | 申请日: | 2021-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN215644468U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 秦冲;刘庆华 | 申请(专利权)人: | 上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L29/739 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
| 地址: | 200120 上海市中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | igbt 模块 管状 铆钉 | ||
本申请涉及一种IGBT模块的管状铆钉及IGBT模块,该管状铆钉包括管状铆钉具有相对的第一端和第二端,第一端用于焊接到IGBT模块的主体部,第二端用于与IGBT模块的插针插接配合,管状铆钉的内壁设置有环形阻焊层或管状铆钉的内壁具有由阻焊材料制成的环形段。在管状铆钉的焊接过程中,能够有效避免因焊膏进入管状铆钉内部而导致管状铆钉与插针配合部分的内径缩小的风险,保证了管状铆钉与插针配合部分的内径的一致性,从而有利于保证在插针工序中IGBT模块的插针可靠插入管状铆钉内。另外,由于环形阻焊层阻止了焊膏在管状铆钉内移动,有利于保证管状铆钉的第一端具有足量的焊膏量,利于保证铆钉与IGBT的焊接强度。因此,能够提高产品良品率。
技术领域
本申请涉及半导体封装领域技术领域,具体而言,涉及一种IGBT模块的管状铆钉及IGBT模块。
背景技术
现有的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块的管状铆钉通过焊膏熔化和DBC(Direct Bonding Copper,覆铜陶瓷基板)板焊接在一起。在焊接过程中,由于IGBT模块的管状铆钉内壁材料可润湿,导致焊膏沿着管状铆钉内壁往上爬,进入管状铆钉的内部,在其内壁上附着一层焊膏,导致管状铆钉内径变小,不利于插针插入到管状铆钉内,容易导致插针的插接失效。另外,由于焊膏在管状铆钉内移动,可能导致管状铆钉与DBC板焊接位置的焊膏量不足,影响到铆钉与IGBT模块的焊接强度。
实用新型内容
本申请实施例旨在提供一种IGBT模块的管状铆钉及IGBT模块,有利保证管状铆钉与插针可靠插接及保证管状铆钉焊接的可靠性。
根据本申请实施例的第一方面提供了一种IGBT模块的管状铆钉,所述管状铆钉具有相对的第一端和第二端,所述第一端用于焊接到所述IGBT模块的主体部,所述第二端用于与所述IGBT模块的插针插接配合,所述管状铆钉的内壁设置有环形阻焊层或所述管状铆钉的内壁自身具有由阻焊材料制成的环形段。
在上述技术方案中,由于管状铆钉的内壁设置有环形阻焊层或管状铆钉的内壁具有由阻焊材料制成的环形段,使得在管状铆钉的焊接过程中,能够有效避免因焊膏沿着管状铆钉的管壁进入管状铆钉内部而导致管状铆钉与插针配合部分的内径缩小的风险,保证了管状铆钉与插针配合部分的内径的一致性,从而有利于保证在插针工序中IGBT模块的插针可靠插入管状铆钉内,避免了出现插针插接失效的情况。另外,由于环形阻焊层阻止了焊膏在管状铆钉内移动,有利于保证管状铆钉的第一端具有足量的焊膏量,从而利于保证管状铆钉与IGBT的主体部的焊接强度。因此,能够提高产品良品率。
可选地,所述环形阻焊层或所述环形段靠近所述第一端的一端与所述管状铆钉的所述第一端之间间隔一段距离。
在上述技术方案中,当管状铆钉与IGBT的主体部焊接时,部分焊膏可进入到管状铆钉内位于环形阻焊层或环形段下方的空间,一方面能够增加焊层的厚度,有利于保证管状铆钉与IGBT的主体部焊接的可靠性;另一方面进入管状铆钉内焊膏形成一段柱状体,能够起到对管状铆钉的支撑限位作用,保证了管状铆钉在IGBT的主体部安装的稳固性。
可选地,所述距离的长度为0.1-5mm。
上述距离在0.1-5mm的范围内,有利于保证管状铆钉与IGBT的主体部焊接可靠性。同时,距离在该范围内,也不至于使管状铆钉的长度尺寸过大而浪费材料或占用过大的空间。
可选地,所述环形阻焊层为阻焊绿漆层。
可选地,所述管状铆钉包括直管段和形成在所述直管段的一端的第一环形翻边,所述第一环形翻边用于与所述IGBT模块的主体部焊接。
在上述技术方案中,第一环形翻边与IGBT模块的主体部焊接,能够增大管状铆钉与IGBT模块的主体部的焊接面积,有利于提升两者焊接的可靠性,保证了管状铆钉在IGBT模块的主体部上安装的可靠性。
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