[实用新型]适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件有效
| 申请号: | 202121716040.8 | 申请日: | 2021-07-27 | 
| 公开(公告)号: | CN215815897U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 | 
| 发明(设计)人: | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵;杨青松 | 申请(专利权)人: | 苏州光汇新能源科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0376 | 分类号: | H01L31/0376;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/074 | 
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 | 
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 适用于 室内 发电 硅异质结光伏 电池 器件 | ||
本实用新型公开了一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件。所述硅异质结光伏电池包括单晶硅基底以及依次叠设在所述单晶硅基底第一面上的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电薄膜层,以及,依次叠设在所述单晶硅基底第二面的第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电薄膜层;所述第一导电薄膜层包括第一透明导电层以及设置在第一透明导电层上的第一电极,所述第一透明导电层的第一垂直投影面的全部位于所述第一掺杂非晶硅层的第二垂直投影面内,且所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离在5mm以上。本实用新型提供的异质结光伏电池,提高了异质结光伏电池在室内光条件下的光电转换效率。
技术领域
本实用新型涉及一种硅异质结光伏电池,特别涉及一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件,属于光伏电池技术领域。
背景技术
光伏发电在民用消费领域的应用越来越多,如用于移动充电、光伏建筑一体化等。随着5G技术的发展和普及,万物互联的物联网时代正快速到来。在物联网中,将有数量巨大的传感器等分布式微电子设备,这些设备绝大多数位于室内且功耗低,用光伏电池收集室内的光线为这些设备供电是一种理想的离网式供电途径,可充分利用室内场所(如办公室,商场等)的富裕光照,减少能源浪费。
室内光的光强普遍在10mW/cm2-0.1mw/cm2,甚至低至0.01mw/cm2,这仅相当于目前用于评价光伏转换效率标准光强(100mW/cm2)的十分之一到千分之一(甚至万分之一),而现有的商用太阳电池基本是针对室外强光和AM1.5光谱设计优化的,适用于室外太阳光下发电,将其直接用于室内光条件下使用,存在光电转化效率低下等问题。因此,发展适用于室内发电的光伏电池显得尤为迫切。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件,以克服现有技术中的不足。
为实现前述实用新型目的,本实用新型采用的技术方案包括:
本实用新型实施例提供了一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池,其包括单晶硅基底以及依次叠设在所述单晶硅基底第一面上的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电薄膜层,以及,依次叠设在所述单晶硅基底第二面的第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电薄膜层;
所述第一导电薄膜层包括第一透明导电层以及设置在第一透明导电层上的第一电极,所述第一透明导电层叠设在第一掺杂非晶硅层上,所述第一透明导电层的第一垂直投影面的全部位于所述第一掺杂非晶硅层的第二垂直投影面内,且所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离在5mm以上,其中,所述预设方向与第一面所在平面方向平行,所述第一面和第二面背对设置。
进一步的,所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离为5-20mm,优选为10-20mm。
进一步的,所述第一垂直投影面和第二垂直投影面的面积之比为0.7-0.95。
进一步的,所述第二导电薄膜层包括第二透明导电层以及设置在第二透明导电层上的第二电极,所述第一透明导电层和第二透明导电层的厚度均为70-90nm,且所述第一透明导电层和第二透明导电层的方块电阻均在100欧姆以上。
进一步的,所述第一透明导电层和第二透明导电层的方块电阻均为150-300Ω,优选为200-300Ω。
进一步的,所述第一透明导电层和第二透明导电层均为TCO导电薄膜。
进一步的,所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均在10nm以上。
进一步的,所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均为10-30nm,优选为15-30nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





