[实用新型]一种新型碳化硅衬底的前处理设备有效
| 申请号： | 202121687568.7 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN216793619U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 郑国;秦超;张志伟 | 申请（专利权）人： | 上海衍梓智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02;C23C16/14 |
| 代理公司： | 上海国瓴律师事务所 31363 | 代理人： | 傅耀 |
| 地址： | 200240 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 衬底 处理 设备 | ||
1.一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：包括进气管路、反应腔、隔热层、支撑部件、射频加热部件、真空抽气部件、尾气处理管路、加热基板和衬底托盘；
所述进气管路和所述尾气处理管路分别位于所述隔热层两个侧边，所述隔热层位于所述反应腔内侧壁，所述射频加热部件位于所述反应腔底部，所述支撑部件位于所述加热基板并固定所述加热基板于所述隔热层内侧底部，所述加热基板上设置有凹槽，所述衬底托盘位于所述凹槽处，所述真空抽气部件位于所述隔热层外侧；
所述衬底托盘包括基材、结构层和防护层；
所述结构层位于所述基材上并具有标准形貌或图案支撑结构；所述防护层位于所述结构层上。
2.根据权利要求1所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述标准形貌或图案支撑结构的最内环形成衬底放置凹槽，所述衬底放置凹槽的高度为2-10mm，直径为20.5-21cm；所述衬底托盘的高度为10-15mm，直径为21-25cm；所述标准形貌或图案支撑结构数量为3，高度为1-5mm，宽度为5-10cm；所述衬底托盘还包括托盘边沿，所述托盘边沿宽度为0-1cm；所述防护层材料选自包括择钽和铌金属中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述防护层材料为铌金属，所述防护层高度为3-5mm。
4.根据权利要求3所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述加热基板的类型包括6*8inch、8*6inch和12*4inch。
5.根据权利要求4所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述加热基板包括托盘放置处和硅源放置孔；所述托盘放置处和所述硅源放置孔旋转对称分布于所述加热基板上；所述加热基板的高度为10-15cm，直径为65-70cm；所述硅源放置孔的高度为0.5-2cm，直径为1-2cm，所述相邻硅源放置孔间角度距离为30-60度。
6.根据权利要求5所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述加热基板为碳系基材。
7.根据权利要求6所述的一种新型碳化硅衬底的前处理设备，其特征在于：所述加热基板为石墨基材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海衍梓智能科技有限公司，未经上海衍梓智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121687568.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
