[实用新型]一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体

说明书

一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体，包括有线圈骨架，线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连；左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置，左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置；用热管将G‑M制冷机一级冷头与G‑M制冷机二级冷头相连；冷屏导冷装置上侧与G‑M制冷机相连；设置冷却磁控拉单晶超导磁体；将气体充入到热管中，打开G‑M制冷机对测试样品进行冷却；实现超导线圈的快速降温冷却；具有冷却效率高的特点。

技术领域

本实用新型属于磁控拉单晶应用技术领域，具体涉及一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体。

背景技术

高纯单晶硅广泛应用于太阳能电池、集成电路、半导体等行业，是光伏发电、电子信息等高新技术产业的关键材料之一，在保障能源、信息、国家安全方面具重要的战略地位。然而，由于磁拉单晶技术的核心部件—大型超导强磁体装置，其设计技术难度高、加工制造难度大、成本和风险居高不下等原因，导致国内缺乏相关基础研究和技术积累，该项技术被日、美、德等国完全垄断。

根据已有的文献调研可知，截止目前，磁控拉单晶用超导磁体领域，由于单晶硅加工制备的区域性及垄断性，导致目前国外研制单位主要为日本的住友（Sumitomo），东芝（Toshiba）及日本超导技术公司（JASTEC）等企业，同时该领域磁体制备技术几乎完全处于保密、封锁状态。国内单晶硅相关研究虽与日本同时起步，但就目前总体而言，生产技术水平仍然相对较低，国内消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但经过多年的积累与发展正迎头赶上，近几年也有相关专利进行了保护申请，如公开号为（CN103106994A）专利文献，提出的一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体；公开号为（CN110136915A）的专利文献提出一种超导磁体和磁控直拉单晶设备，然而，以前的磁体大都存在如下问题，冷却采用液氦的方式或者直接采用G-M制冷机热传导的方式对磁体进行降温冷却，采用液氦冷却方式，由于液氦为稀缺资源导致成本非常高昂，采用G-M制冷机热传导直接冷方式，所需要的降温时间非常长，根据磁体冷体的质量，一般8英寸和12英寸的超导磁体降温需要14～20天的时间，降温时间成本非常高，是目前磁体使用过程中面临的一个较为严重的影响生产效率的问题。同时，由于实际运行过程中，也难免因各种情况导致磁体失超，从而使得超导磁体温度升高，因此也需要再次降温到超导磁体运行临界温度以下。所以，超导磁体的降温时间长、短，实际将会严重影响磁体在实际生产中的使用效率。

发明内容

为克服上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体，引入热管，从而提高磁体的冷却效率，缩短磁体从室温冷却到超导线材临界运行温度以下的时间，降低时间成本提高磁体生产效率。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体，包括有线圈骨架，线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连；左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置，左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置；用热管将G-M制冷机一级冷头与G-M制冷机二级冷头相连；冷屏导冷装置8上侧与G-M制冷机相连。

所述的热管上端设有热管上端连接导冷件，下端设有热管下端连接导冷件；热管上端连接导冷件下部与热管高温端冷凝器相连，热管高温端冷凝器位于热管腔体中；热管下端连接导冷件上部与热管下端换热器相连，热管下端换热器位于热管腔体中；热管腔体上端与热管冷凝器气体导入管相连通。

所述的热管上端连接导冷件和热管下端连接导冷件的热传导系数为200～700W/m*K。

所述的热管上端连接导冷件和热管高温端冷凝器的材料采用高纯无氧铜或高纯铝。

所述的热管腔体的上、下两端的材料的热传导系数为0.1～1W/m*K。

所述的热管腔体上、下两端的材料采用不锈钢、黄铜、铍铜或者钛合金。

所述的热管上端连接导冷件和热管下端连接导冷件的导冷结构采用多层嵌套结构。