[实用新型]一种贴合式半导体晶圆有效
申请号: | 202121666125.X | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN215069906U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 覃德益 | 申请(专利权)人: | 深圳市德芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 深圳市汉瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 44766 | 代理人: | 李航 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 贴合 半导体 | ||
1.一种贴合式半导体晶圆,包括上盖板(1)、封装盒(2)和晶圆本体(3),其特征在于:所述上盖板(1)和所述封装盒(2)卡合连接,所述晶圆本体(3)置于所述上盖板(1)和所述封装盒(2)之间,所述上盖板(1)的顶部内壁粘接有上缓释垫(4),所述封装盒(2)的顶部内壁粘接有下缓释垫(5),所述下缓释垫(5)和所述封装盒(2)内开设有连通的L型吸气通道(6),所述封装盒(2)内还开设有调节腔(7),所述吸气通道(6)和所述调节腔(7)之间预留有穿线槽,所述调节腔(7)内穿设有延伸至所述封装盒(2)外部的调节组件(18)。
2.根据权利要求1所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述上盖板(1)的底部内侧设置了外圆角(8),所述封装盒(2)的顶部设置了内圆角(9)。
3.根据权利要求1所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述晶圆本体(3)包括基底晶圆(10)、多晶硅层(11)、绝缘膜(12)和贴合晶圆(13),所述多晶硅层(11)复合设置在所述基底晶圆(10)带有氧化膜(14)的一面。
4.根据权利要求3所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述绝缘膜(12)设置在所述贴合晶圆(13)的一面,且所述贴合晶圆(13)具有所述绝缘膜(12)的一面复合设置在所述多晶硅层(11)上。
5.根据权利要求1所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述吸气通道(6)内活动设置有密封塞(16),所述密封塞(16)的一侧通过穿设在所述穿线槽内的连接绳(17)与所述调节腔(7)内的所述调节组件(18)连接。
6.根据权利要求5所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述调节组件(18)包括转动盘(19)、把手(20)、限位盘(21)和卷线杆(15),所述卷线杆(15)通过转轴转动安装在所述调节腔(7)的内壁。
7.根据权利要求6所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述转动盘(19)与所述卷线杆(15)焊接,所述把手(20)焊接在所述转动盘(19)的一面,所述限位盘(21)焊接在所述转动盘(19)的外侧壁。
8.根据权利要求7所述的一种贴合式半导体晶圆,其特征在于:所述卷线杆(15)为方形伸缩杆,所述封装盒(2)的外壁上开设有限位槽,所述限位盘(21)和所述转动盘(19)卡设在所述限位槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造