[实用新型]一种新型硅压阻式负压传感器有效

专利信息
申请号: 202121657506.1 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN215178313U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 韩文娟;冯杰 申请(专利权)人: 淄博纳泰微系统传感有限公司
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06
代理公司: 济南宝宸专利代理事务所(普通合伙) 37297 代理人: 徐健
地址: 255086 山东省淄博*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 硅压阻式负压 传感器
【权利要求书】:

1.一种新型硅压阻式负压传感器,包括本体(7)、高稳芯片(5)、压环(6)、隔离膜片(1)、陶瓷圈(2)、导线(8)和PCB板(9),其特征在于:本体的上端开设有充油腔,高稳芯片设置于充油腔的底部,陶瓷圈上开设有通孔,高稳芯片设置于陶瓷圈的通孔内,隔离膜片设置于陶瓷圈的上端,压环设置于隔离膜片的上端,压环与隔离膜片的外沿固定于本体上;本体的充油腔的下端开设有充油通道,充油通道的底部设置有钢珠(4),充油腔内充满硅油后,用钢珠密封充油通道;本体上设置有可伐合金引脚,用于与高稳芯片相连接,可伐合金引脚的下端分别与PCB板及导线相连接,导线用于输出信号。

2.根据权利要求1所述的新型硅压阻式负压传感器,其特征在于:所述的高稳芯片与本体之间采用环氧树脂胶(3)粘结。

3.根据权利要求1所述的新型硅压阻式负压传感器,其特征在于:所述的压环设置为不锈钢压环。

4.根据权利要求1所述的新型硅压阻式负压传感器,其特征在于:所述的本体设置为不锈钢本体。

5.根据权利要求1所述的新型硅压阻式负压传感器,其特征在于:所述的高稳芯片上连接有铝制的引线(10),用于连接可伐合金引脚。

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