[实用新型]一种P沟道Mosfet门极驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种P沟道Mosfet门极驱动电路，包括电阻R1、三极管Q1、电阻R2、MOS管Q2和电阻RL，所述三极管Q1连接电阻R1和电阻R2，所述电阻R2另一端接电源负极，所述电源电压连接电阻R1和MOS管Q2，所述Q2为要驱动的P沟道Mosfet，所述MOS管Q2与三极管Q1和电阻R1电连接，所述MOS管Q2与电阻RL电相连，所述电阻RL为负载，本实用新型属于电子电路技术领域，具体是指一种P沟道Mosfet门极驱动电路，减小元器件使用种类和数量，降低成本。

技术领域

本实用新型属于电子电路技术领域，具体是指一种P沟道Mosfet门极驱动电路。

背景技术

传统的P沟道Mosfet门极驱动电路通常用三极管和电阻，为了适应不同的电源电压，一般添加稳压管，使用元器件种类和数量较多、占用PCB面积较大，导致成本增加。

实用新型内容

为了解决上述难题，本实用新型提供了一种P沟道Mosfet门极驱动电路，减小元器件使用种类和数量，降低成本。

为了实现上述功能，本实用新型采取的技术方案如下：一种P沟道Mosfet门极驱动电路，包括电阻R1、三极管Q1、电阻R2、MOS管Q2和电阻RL，所述三极管Q1连接电阻R1和电阻R2，所述电阻R2另一端接电源负极，所述电源电压连接电阻R1和MOS管Q2，所述Q2为要驱动的P沟道Mosfet，所述MOS管Q2与三极管Q1和电阻R1电连接，所述MOS管Q2与电阻RL电相连，所述电阻RL为负载；P沟道Mosfet的Gs极一般需要负5V到负15V才能有效导通，本电路适应于电源电压Vp大于10V的系统，采用三极管和电阻构成恒流源，当Vp大于15V，在输入为高电平5V时，若三极管BE极电压为0.3V，则发射极电路约等于(5-0.3)/R2，则R1两端电压为(5-0.3)R1/R2，因此，可以通过选择R1＝2*R2使R1两端电压为9.4V，使Mosfet获得较为合适的驱动电压。

本实用新型采取上述结构取得有益效果如下：本实用新型提供的一种P沟道Mosfet门极驱动电路操作简单，节构紧凑，设计合理，整个门极驱动电路由两个电阻和一个三极管构成，较于传统驱动电路节省了1个电阻和一个稳压二极管，元器件成本可降低(0.01+0.08)/(0.05+0.01*3+0.08)＝56.25％，减小元器件使用种类和数量，降低成本。

附图说明

图1为本实用新型一种P沟道Mosfet门极驱动电路的电路图；

图2为一种传统的P沟道Mosfet门极驱动电路图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以下结合附图，对本实用新型做进一步详细说明。

如图1-2所示，本实用新型一种P沟道Mosfet门极驱动电路，包括电阻R1、三极管Q1、电阻R2、MOS管Q2和电阻RL，所述三极管Q1连接电阻R1和电阻R2，所述电阻R2另一端接电源负极，所述电源电压连接电阻R1和MOS管Q2，所述MOS管Q2与三极管Q1和电阻R1电连接，所述Q2为要驱动的P沟道Mosfet，RL为负载。