[实用新型]一种高可靠性的终端结构

说明书

本实用新型提供了一种高可靠性的终端结构，涉及终端结构技术领域。衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，p型阱上方设置有栅氧氧化层和多晶层，BODY I区P阱和BODY II区P阱内置n+型源级和p+型短路区，源级金属电极设置在BODY I区P阱和BODY II区P阱上方，栅极金属电极设置在BODY II区P阱和RING I区P阱上方，RING II区浮空金属电极设置在RING II区上方，终端末端金属电极设置在终端末端P阱上方。本实用新型在漂移区内设置BODY I区、BODY II区、RING I区和RING II区，相互分离，有效降低高温反偏漏电。

技术领域

本实用新型涉及终端结构技术领域，特别涉及一种高可靠性的终端结构。

背景技术

电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。一方面，功率半导体器件在工作过程中受功率影响，产生热量，会引起器件温度的上升，热量主要产生在结处，会引起击穿漏电。另一方面，目前我国新型电力电子器件主要有声效应功率晶体管(VDMOS)及绝缘栅晶体管(IGBT)类器件，由于汽车电子类应用的要求不断提高，相应的汽车电子器件可靠性要求也不断提高，越来越多的厂商将高温反向偏置实验(HTRB)标准提高、收严，对器件产品的终端设计提出更严峻的考验。

实用新型内容

本实用新型提供了一种高可靠性的终端结构，通过设置RINGI区，同时将BODYI区、BODYII区、RINGI区和RINGII区结构分离，可有效降低高温反偏漏电。

具体技术方案是一种高可靠性的终端结构，包括衬底，所述衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，所述n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，所述p型阱包括：BODYI区P阱、BODYII区P阱、RINGI区P阱、RINGII区P阱和终端末端P阱，所述p型阱上方设置有栅氧氧化层和多晶层，所述RING I区P阱上方设置有PSG保护层，所述BODYI区P阱和所述BODYII区P阱内置n+型源级和p+型短路区，源级金属电极设置在所述BODYI区P阱和所述BODYII区P阱上方，栅极金属电极设置在所述BODYII区P阱和所述RINGI区P阱上方，所述n型缓冲区从左到右依次为BODYI区、BODYII区、RINGI区和RINGII区，所述BODYI区由BODY注入与JFET注入形成，所述BODY II区由BODY注入形成，所述RINGI区由RING注入与BODY注入形成，所述RINGII区由RING注入形成，RINGII区浮空金属电极设置在所述RINGII区上方，终端末端金属电极设置在所述终端末端P阱上方。

进一步，所述p型阱横向规则排列在所述n型缓冲区内部。

进一步，所述p+型短路区位于所述n+型源级中间。

相对于现有技术而言，本实用新型的有益效果是：在漂移区3内设置BODY I区、BODY II区、RING I区、RING II区，并相互分离，其中，所述BODY I区由BODY注入与JFET注入形成，所述BODY II区由BODY注入形成，所述RING I区由RING注入与BODY注入形成，所述RING II区由RING注入形成，在材质上相邻的各区间具有过渡性，各区的p阱边界处PN结，热传导好，该特殊的“终端隔离”结构使器件在高反向电压下具有较小的反向漏电，能有效的降低HTRB下漏电流，提高产品高温可靠性，所采用的制造方法不增加原有光刻层数，亦不增加成本。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例公开的步骤S1实施对应结构示意图；

图2为本实用新型实施例公开的步骤S2实施对应结构示意图；

图3为本实用新型实施例公开的步骤S3实施对应结构示意图；