[实用新型]防静电的半导体场效应管结构

权利要求书

1.防静电的半导体场效应管结构，包括盒体(1)，其特征在于：所述盒体(1)的顶部设有盒盖(2)，所述盒盖(2)的底部靠近右侧处与盒体(1)的顶部靠近右侧处相互铰接，收缩盒盖(2)的内腔右侧固定连接有扭转弹簧(6)，收缩扭转弹簧(6)的底端延伸至盒体(1)的内腔，并与其内腔右侧靠近顶部处固定连接，所述盒盖(2)的底部靠近左侧处固定连接有插杆(17)，所述盒体(1)的顶部靠近左侧处开设有凹槽，所述盒体(1)的左侧靠近顶部处开设有滑槽，所述滑槽的内腔设有矩形框(19)，所述插杆(17)的底端贯穿凹槽与滑槽的内腔，且延伸至矩形框(19)的内腔，所述盒体(1)的内腔均设有防静电海绵(7)，所述盒体(1)的底部均固定连接有若干个支撑板(11)，所述防静电海绵(7)的底部开设有若干个插接槽，若干个所述插接槽的顶部均开设有活动槽，若干个所述支撑板(11)的顶部均贯穿插接槽的内腔，且延伸至活动槽的内腔，并铰接有活动杆(10)，所述防静电海绵(7)的顶部均开设有若干个开槽，若干个所述开槽的内腔均设有壳体(9)，若干个所述壳体(9)的顶部均开设哟若干个针孔，若干个所述壳体(9)的内腔均设有防静电机构(13)。

2.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：所述防静电机构(13)包括针脚扣(15)，若干个所述针脚扣(15)的底部均与相邻壳体(9)的内腔底部固定连接，若干个位于中间的所述针脚扣(15)的左右两侧与后侧均设有设有串联带(16)，若干个所述串联带(16)两端均与相邻针脚扣(15)的侧壁固定连接。

3.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：所述插杆(17)的右侧开设有插槽，所述插槽的内腔设有插块(18)，所述插块(18)的右侧贯穿相邻插槽的内腔，且延伸至其外侧，并与矩形框(19)的内腔右侧固定连接。

4.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：所述矩形框(19)的右侧固定连接有复位弹簧(20)，所述复位弹簧(20)的右端与滑槽的内腔侧壁固定连接，所述矩形框(19)的左侧固定连接有活动板(5)，所述活动板(5)的左侧贯穿滑槽的内腔，且延伸至其外侧。

5.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：若干个所述活动杆(10)的顶部靠近前侧处铰接有连接杆(12)，所述防静电海绵(7)的顶部开设有若干个插孔，若干个所述连接杆(12)的顶端贯穿插孔的内腔，且延伸至其顶部，并固定连接有活动块(8)。

6.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：若干个个所述活动杆(10)的顶部靠近后侧处铰接有滑杆(14)，若干个所述活动槽的顶部靠近后侧处均开设有穿孔，若干个所述滑杆(14)的顶端均贯穿穿孔的内腔，且延伸至开槽的内腔，并与壳体(9)的底部固定连接。

7.如权利要求1所述的防静电的半导体场效应管结构，其特征在于：所述盒体(1)的底部固定连接有防水座(4)，所述盒盖(2)上开设有开口，所述开口的内腔固定连接有大小与其相互匹配的观察窗(3)。