[实用新型]图像传感器及电子设备有效
申请号: | 202121555138.X | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN215991029U | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 谭炳辉;石文杰;王婉晴 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/357;H04N5/374;H04N5/235;H01L27/146 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 电子设备 | ||
本实用新型提供一种图像传感器结构、电子设备,结构包括:第一类像素和第二类像素;调制功能层,其至少包括位于第一类像素上的遮光部;基于调制功能层,入射光进入第二类像素并产生衍生光,衍生光进入第一类像素,基于衍生光以产生第一信号,第二类像素基于入射光以产生第二信号,且同一第一类像素对应的各第二类像素响应于同种类型的光信号。本实用新型可以基于第一类像素和第二类像素获取不同的光信号,以提高图像的动态范围,并有效实现具有光源闪烁的照片或者视频的获取。另外,可以实现遮光部与导光部的同时制备,实现第一类像素和第二类像素的光信号的调制,并可以有效防止不同类型光信号之间的串扰,可以简化制备工艺,提高效率。
技术领域
本实用新型属于图像传感器制造及成像技术领域,特别是涉及一种图像传感器及电子设备。
背景技术
图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。根据元件的不同,可以分为CCD(电荷耦合元件)和CMOS(金属氧化物半导体元件)两大类。随着CMOS图像传感器(CIS)设计及制造工艺的不断发展,CMOS图像传感器逐渐取代CCD图像传感器已经成为主流。其中,CMOS图像传感器可以分为FSI(FrontSide Illumination,前照式)和BSI(Back Side Illumination,背照式)两类。
然而,在一些应用中,CMOS图像传感器需要拍摄动态范围较大的场景,以在低光条件到亮光条件均得到清晰的图像。在另外一些时候,需要拍摄一些光源闪烁的照片或者视频,例如,拍摄具备交通信号灯的场景,CMOS图像传感器中的至少一部分像素需要进行长时间的曝光以免疫某些光源的闪烁(LFM,light flicker mitigation);同时,在此场景下,长时间曝光的像素不能过曝,因此,需要图像传感器具有较大的动态范围。
因此,如何提供一种图像传感器及电子设备,以解决现有技术中的上述问题实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种图像传感器像素结构及电子设备,用于解决现有技术中图像传感器动态范围难以得到有效提升以及具有光源闪烁的照片或者视频难以有效获取等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种图像传感器,包括:
第一类像素,所述第一类像素包括第一感光区;
第二类像素,所述第二类像素包括第二感光区,且所述第一类像素与所述第二类像素之间具有间隔区;以及
调制功能层,至少包括遮光部,所述遮光部位于所述第一类像素上以遮挡入射光;
基于所述调制功能层,入射光进入所述第二类像素对应的区域并产生衍生光,所述衍生光至少经由所述间隔区进入所述第一类像素,其中,所述第一感光区接收所述衍生光以产生第一信号,所述第二感光区接收所述入射光以产生第二信号,且同一所述第一类像素对应的各所述第二类像素响应于同种类型的光信号。
可选地,所述第一类像素的侧面由若干个入光表面构成,所述衍生光至少经由所述入光表面进入所述第一类像素的所述第一感光区,其中,各所述入光表面与所述第二类像素或其他所述第一类像素一一对应。
可选地,所述第二类像素为所述第一类像素的最近邻像素,至少同一所述第一类像素对应的各所述第二类像素覆盖同一种滤色器,以使得各所述第二类像素响应同种类型的光信号。
可选地,所述图像传感器还包括第三类像素,所述第三类像素与所述第一类像素之间的对应面积小于所述第二类像素与所述第一类像素之间的对应面积的1/10,或者,所述第三类像素与所述第一类像素之间间隔设置。
可选地,所述图像传感器包括若干个像素单元,每一所述像素单元包括若干个所述像素子单元,每一所述像素子单元包括至少一个所述第一类像素及至少一个所述第二类像素。
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