[实用新型]低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上方中间为N型阱；所述N型埋层左侧设有第一P阱，所述N型埋层右侧设有第二P阱；所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第一浮空P+注入区，其中，所述第一P+注入区位于所述第一P阱左侧，所述第一N+注入区位于所述第一P+注入区右侧并贴合在一起，所述第一浮空P+注入区位于所述第一N+注入区的右侧；

所述第二P阱内设有第二P+注入区、第二N+注入区和第二浮空P+注入区，其中，所述第二P+注入区位于所述第二P阱右侧，所述第二N+注入区位于所述第二P+注入区左侧并贴合在一起，所述第二浮空P+注入区位于所述第二N+注入区的左侧；

所述第一P阱和所述第二P阱之间设有N型阱，所述N型阱中间位置设有中间N+注入区，同时，第一P型浅阱PB和第二P型浅阱PB分别设置横跨在所述第一P阱、所述N型阱和所述第二P阱中间位置；

所述N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱；

所述第一P+注入区、所述第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，所述第二P+注入区、所述第二N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一P+注入区左侧与所述P型衬底左侧边缘之间设有第一场氧隔离区，所述第一P+注入区右侧与所述第一N+注入区左侧连接，所述第一N+注入区右侧与所述第一浮空P+注入区左侧设有第二场氧隔离区；所述第二P+注入区左侧与所述第二N+注入区右侧连接，所述第二N+注入区左侧与所述第二浮空P+注入区右侧设有第五场氧隔离区；所述第一浮空P+注入区右侧与所述第一P型浅阱PB左侧设有第三场氧隔离区；所述第二浮空P+注入区左侧与所述第二P型浅阱PB右侧设有第四场氧隔离区；所述第二P+注入区右侧与所述P型衬底右侧边缘之间设有第六场氧隔离区。

3.根据权利要求2所述的低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一场氧隔离区的左部位于所述P型衬底的表面，所述第一场氧隔离区右部位于所述第一P阱的表面；所述第六场氧隔离区左部位于所述第二P阱的表面，所述第六场氧隔离区右部位于所述P型衬底的表面；所述第二场氧隔离区和所述第三场氧隔离区位于所述第一P阱的表面，所述第四场氧隔离区和所述第五场氧隔离区位于所述第二P阱的表面。

4.根据权利要求2所述的低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，当高压ESD脉冲到达器件的阳极，器件的阴极接低电位时，所述第一N+注入区、所述第一P阱、所述N型阱构成了纵向NPN型三极管，所述第一P阱、所述N型阱、所述第二P阱构成横向PNP型三极管结构，所述第二N+注入区、所述第二P阱、所述N型阱构成了纵向NPN型三极管，所述第一P阱、所述N型埋层、所述第二P阱构成横向PNP型三极管。

5.根据权利要求1所述的低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，当高压ESD脉冲到达器件的阳极时，器件阴极接地电位，ESD电流沿着所述P+注入区流入所述第一P阱、所述第一P型浅阱PB和所述中间N+注入区组成的顺偏二极管。