[实用新型]一种带有保护装置的IGBT模块有效
申请号: | 202121549052.6 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN215771123U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 王丕龙;张永利;王新强;杨玉珍 | 申请(专利权)人: | 青岛佳恩半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/467 | 分类号: | H01L23/467;H01L23/62;H01L29/739 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 郑艳春 |
地址: | 266100 山东省青岛市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 保护装置 igbt 模块 | ||
本实用新型涉及电子设备技术领域,且公开了一种带有保护装置的IGBT模块,包括:IGBT模块本体,所述IGBT模块本体的表面固定安装有放置盒,所述放置盒的内壁设有圆形铁块,所述圆形铁块的表面活动连接有线圈。该带有保护装置的IGBT模块,通过设置圆形铁块、线圈和电线插件,当供电设备因事故损坏时,通过圆形铁块和线圈配合,对线圈供电,从而使线圈与圆形铁块配合产生磁力对磁块进行吸合,由于电压提高,从而使产生的磁力大于压力弹簧的弹力,使磁块带动电线插件移动,将电线插件从IGBT模块本体的内部拔出,避免继续对IGBT模块本体供电,从而避免电压过高使IGBT模块本体损坏,保证IGBT模块本体可以正常使用。
技术领域
本实用新型涉及电子设备技术领域,具体为一种带有保护装置的IGBT模块。
背景技术
IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
现有技术中,IGBT模块在使用的过程中,需要保证连接的电压是IGBT模块的安全的电压,当供电设备因事故损坏时,从而无法保证IGBT模块的使用电压,由于没有保护装置无法第一时间对IGBT模块进行断电,从而使IGBT模块因电压过高导致损坏,使IGBT模块无法使用,且现有IGBT模块的散热效果并不好,导致IGBT模块容易烧毁,从而降低IGBT模块的实用效果。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种带有保护装置的IGBT模块,具备保证IGBT模块可以正常使用,提高IGBT模块的实用效果的优点,解决了由于没有保护装置无法第一时间对IGBT模块进行断电,从而使IGBT模块因电压过高导致损坏,使IGBT模块无法使用,且现有IGBT模块的散热效果并不好,导致IGBT模块容易烧毁,从而降低IGBT模块的实用效果的问题。
本实用新型提供如下技术方案:一种带有保护装置的IGBT模块,包括:IGBT模块本体,所述IGBT模块本体的表面固定安装有放置盒,所述放置盒的内壁设有圆形铁块,所述圆形铁块的表面活动连接有线圈,所述线圈的表面与放置盒的内壁活动连接,所述IGBT模块本体的内壁活动连接有磁块,所述磁块的表面设有压力弹簧,所述压力弹簧的表面与线圈的表面活动连接,所述压力弹簧的表面与放置盒的内壁固定安装,所述IGBT模块本体的表面开设有散热孔,所述IGBT模块本体的内壁装配有微型电机,所述微型电机的表面设有风扇,所述IGBT模块本体的内壁设有温度传感器。
优选的,所述磁块的内壁设有导向杆,所述放置盒的内壁设有导向筒,所述导向筒的内壁与导向杆的表面活动连接。
优选的,所述磁块的表面开设有圆孔,所述圆孔的内壁装配有电线插件,所述放置盒的内壁设有圆筒,所述圆筒的内壁与电线插件的表面活动连接。
优选的,所述微型电机的数量为两个,两个所述微型电机以经过IGBT模块本体的中心竖直面为对称面对称设置。
优选的,所述IGBT模块本体的内壁设置有海绵防尘板。
优选的,所述IGBT模块本体的表面设有控制器,所述控制器的表面与放置盒的表面活动连接。
与现有技术对比,本实用新型具备以下有益效果:
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