[实用新型]立体式光伏旁路二极管

说明书

立体式光伏旁路二极管。涉及半导体芯片封装技术领域，尤其涉及光伏旁路二极管结构的改进。包括框架一、框架二、芯片、跳线和封装体，所述框架一朝向所述框架二的一端设有轴向凸起的框架一封装区，所述芯片固定设置在所述框架一封装区上；所述框架一封装区的两侧边设有框架一封装区翻边，与所述框架一封装区翻边形成间隙在所述框架一上还设有框架一翻边；所述框架二朝向所述框架一的一端设有轴向内凹的框架二封装区，所述框架二封装区的两侧边设有框架二封装区翻边，与所述框架二封装区翻边形成间隙在所述框架二上还设有框架二翻边。本实用新型能有效避免芯片在工作中承受内应力，最终提高了产品品质。

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装技术领域，尤其涉及光伏旁路二极管结构的改进。

背景技术

太阳能电池组件在长期使用过程中难免落上遮挡物，这些遮挡物在太阳能电池组件上形成局部阴影，局部阴影下串联支路中的太阳能电池组件将被当作负载，并消耗其他太阳能电池组件所产生的能量，从而产生热量导致局部温升，形成“热斑效应”，它对电池组件具有严重的破坏作用。通常都是在太阳能电池组件的正负极间并联一个旁路二极管模块，该模块中至少存在一个旁路二极管，能有效地避免“热斑效应”对电池组件造成的损害。但随着光伏行业中大规格组件再叠加半片、双面双玻技术的发展，整体组件功率不断增大，对二极管的通电流能力也相应地提高。

目前行业内解决方案是通过多芯片并联或者大芯片实现强的电流能力，但芯片成本高，如何在保持芯片尺寸不变的情况下，提升二极管通电路能力，成为一个亟需解决的问题。现有技术中的光伏旁路二极管结构如图5、6所示，框架一1和框架二2均为平面构造，两者通过“凹凸”结构在保留一定绝缘间隙的情况下同轴布设。芯片3固定焊接在框架一1上，然后通过跳线4将芯片3与框架二2相连。该种结构由于框架是平面结构，在大电流工况下，整体过流能力受到限制，主要因素，一是过流能力受材料宽度限制，二是在限定宽度下散热性能受到抑制。整体散热性能差，易导致旁路二极管过热损坏的问题。此外，在热涨缩效应显著的情况下，背景技术由于跳线4是采用平面“跨接”的连接结构形式，易对芯片3形成横向剪切力。

发明内容

本实用新型针对现有技术存在的缺陷，提供了一种在器件同样宽度下过流能力强，整体散热性能好，且能有效避免芯片在工作中承受内应力的立体式光伏旁路二极管。

本实用新型的技术方案是：包括框架一、框架二、芯片、跳线和封装体，所述框架一朝向所述框架二的一端设有轴向凸起的框架一封装区，所述芯片固定设置在所述框架一封装区上；所述框架一封装区的两侧边设有框架一封装区翻边，与所述框架一封装区翻边形成间隙在所述框架一上还设有框架一翻边；

所述框架二朝向所述框架一的一端设有轴向内凹的框架二封装区，所述框架二封装区的两侧边设有框架二封装区翻边，与所述框架二封装区翻边形成间隙在所述框架二上还设有框架二翻边；

所述跳线连接所述芯片与所述框架二封装区翻边。

所述框架二封装区翻边还设有指状凸条，所述指状凸条朝向所述框架二中心延伸，所述跳线连接在所述指状凸条上。

在所述框架一的外露表面开设有识别孔一，在所述框架二的外露表面开设有识别孔二。

所述框架一封装区的后部设有汇流带槽孔一。

所述框架二封装区的后部与所述框架二的轴向内凹区域的底部构成汇流带孔槽二。

本实用新型在保证产品原有性能的基础上，将二极管整体框架的侧边经过多次成型折边，构建出三维立体的封装架构，铜材结构紧密，如若再配合导热性较高的塑封材料，可以有效提升该二极管整体的散热能力，从而增强通电能力；此外，跳线的连接由原来的平面连接设计改成了搭接在翻边上的立体连接设计，结构强度改善，能有效避免芯片在工作中承受内应力，最终提高了产品品质。

附图说明

图1是本实用新型的立体示意图，