[实用新型]一种堆叠芯片有效
申请号: | 202121508164.7 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN215220715U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 韩彦武;郭立;薛小飞;龙晓东 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L21/98;H01L21/50 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 吴莹 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 堆叠 芯片 | ||
1.一种堆叠芯片,其特征在于,
包括:至少两个相互堆叠的芯片单元;
相邻的两个所述芯片单元之间设置有第一支撑柱和第一导电柱;
所述第一支撑柱用于对所述芯片单元产生支撑应力,所述第一导电柱用于导通相连接的两个所述芯片单元上的线路。
2.根据权利要求1所述的堆叠芯片,其特征在于,
所述芯片单元的线路侧包括线路区和非线路区,所述线路区包括所述线路;
所述第一导电柱与所述芯片单元的接触区域位于所述线路区;
所述第一支撑柱与所述芯片单元的接触区域位于所述非线路区。
3.根据权利要求2所述的堆叠芯片,其特征在于,
所述第一支撑柱设置于所述芯片单元的虚拟分割线上,其中,所述虚拟分割线通过对所述芯片单元进行等份分割得到,且所述虚拟分割线位于所述非线路区。
4.根据权利要求3所述的堆叠芯片,其特征在于,
设置于所述虚拟分割线上的所述第一支撑柱等间距排列。
5.根据权利要求2所述的堆叠芯片,其特征在于,
还包括第二导电柱;
所述第二导电柱设置于不相邻的两个所述芯片单元之间;
所述第二导电柱用于导通相连接的两个所述芯片单元的所述线路;
所述第二导电柱与所述芯片单元的接触区域位于所述线路区。
6.根据权利要求5所述的堆叠芯片,其特征在于,
还包括第二支撑柱;
所述第二支撑柱设置于不相邻的两个所述芯片单元之间;
所述第二支撑柱用于对所述芯片单元产生支撑应力;
所述第二支撑柱与所述芯片单元的接触区域位于所述非线路区。
7.根据权利要求6所述的堆叠芯片,其特征在于,
包括:依次堆叠的第N层芯片单元、第N+1层芯片单元和第N+2层芯片单元,其中,N为大于0的自然数;
所述第N层芯片单元的所述线路侧与所述第N+1层芯片单元的所述线路侧相对设置;
所述第N层芯片单元的所述线路侧与所述第N+2层芯片单元的所述线路侧相对设置;
所述第N层芯片单元与所述第N+1层芯片单元之间设置有所述第一支撑柱和所述第一导电柱;
所述第N+1层芯片单元与所述第N+2层芯片单元之间设置有所述第一支撑柱;
所述第N层芯片单元与所述第N+2层芯片单元之间设置有所述第二导电柱。
8.根据权利要求7所述的堆叠芯片,其特征在于,
所述第N+1层芯片单元的所述非线路区设置有第一通孔;
所述第N层芯片单元与所述第N+2层芯片单元之间设置的所述第二导电柱穿设于所述第一通孔。
9.根据权利要求7所述的堆叠芯片,其特征在于,
还包括第三导电柱,
所述第三导电柱设置于所述第N+1层芯片单元与所述第N+2层芯片单元之间;
所述第N+1层芯片单元的所述线路区设置有第二通孔;
所述第二通孔与所述第N+1层芯片单元上的所述线路电连接;
所述第三导电柱穿设于所述第二通孔,且与所述第二通孔电连接。
10.根据权利要求1所述的堆叠芯片,其特征在于,
所述第一支撑柱和所述第一导电柱的材料为金属材料。
11.根据权利要求10所述的堆叠芯片,其特征在于,
所述第一支撑柱和所述第一导电柱与对应的一个所述芯片单元通过金属键合的方式相连接。
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