[实用新型]体声波滤波器电路及滤波器组件

权利要求书

1.一种体声波滤波器电路，其特征在于，包括输入端子、输出端子、接地端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；

所述多个串联的薄膜体声波谐振器包括依次连接的第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器，所述多个串联的薄膜体声波谐振器串联连接在所述输入端子和输出端子之间；

所述多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器；所述第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器的一端依次连接在所述第一薄膜体声波谐振器至第六薄膜体声波谐振器之间的各个节点上；所述第七薄膜体声波谐振器至第九薄膜体声波谐振器的另一端分别连接所述接地端子；

所述第一薄膜体声波谐振器和第三薄膜体声波谐振器位于所述输入端子和输出端子所在的第一直线上，所述第二薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器、第六薄膜体声波谐振器、第七薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器位于所述第一直线的第一侧，所述第八薄膜体声波谐振器位于所述第一直线的第二侧；

所述第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器和第三薄膜体声波谐振器构成第一V字型，所述第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器构成第二V字型，所述第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器构成第三V字型，所述第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器和第五薄膜体声波谐振器位于一条直线上，所述第一V字型和第三V字型的开口均朝向所述第二侧，第二V字型的开口朝向所述第一侧，所述第一V字型和第二V字型的角度大于90°，所述第三V字型的角度小于90°。

2.如权利要求1所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同；所述多个并联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。

3.如权利要求1或2所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和所述多个并联的薄膜体声波谐振器的并联谐振频率相同。

4.如权利要求1所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述第一薄膜体声波谐振器的面积为3470μm²-3530μm²，所述第三薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器的面积为3270μm²-3330μm²，所述第二薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的面积为3970μm²-4030μm²，所述第六薄膜体声波谐振器的面积为2770μm²-2830μm²，所述第七薄膜体声波谐振器的面积为5370μm²-5430μm²，所述第八薄膜体声波谐振器的面积为5850μm²-5950μm²。

5.如权利要求1所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述体声波滤波器的版图主要包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层，所述差频层仅与所述多个并联的薄膜体声波谐振器对应，所述孔层中开设有多个释放孔。

6.如权利要求5所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述上电极层的厚度为所述下电极层的厚度为压电层的厚度为所述差频层的厚度为。

7.如权利要求5所述的体声波滤波器电路，其特征在于，所述释放孔的直径为15μm-25μm。

8.如权利要求5所述的体声波滤波器电路，其特征在于，每个所述薄膜体声波谐振器上均设有多个释放通道，且每个所述释放通道至少对应一个所述释放孔。