[实用新型]SOT89-3L引线框架及SOT89-3L封装产品

说明书

本实用新型涉及一种用于承载微小型芯片的SOT89‑3L引线框架及SOT89‑3L封装产品，引线框架包括多个阵列布置的引线框架单元，每个引线框架单元包括基岛和二个管脚，二个管脚分布在基岛的二侧，基岛正面放置芯片的部位设有凹点结构，凹点结构用于容纳固晶胶，凹点结构的表面为祼铜面。对于微小型芯片来讲，凹点结构增加了芯片四周的支撑点，在粘片时设备粘片压力参数可以正常设置或适当增大参数，此时因为基岛凹点结构的存在，芯片底部与基岛之间还是存在一定厚度的固晶胶，确保了固晶胶厚度的最低数值，不会造成芯片底部固晶胶厚度过分降低；另外，凹点结构表面为祼铜面，增强了固晶胶与基岛的结合能力，进一步提高产品抗分层能力。

技术领域

本实用新型涉及技术领域，尤其涉及一种用于承载微小型芯片的SOT89-3L引线框架及SOT89-3L封装产品。

背景技术

芯片的加工技术从传统的平面晶体管发展到立体晶体管，纳米技术使得芯片中的标准单元更小，目前芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示，目前已达到7nm，甚至5nm。制造工艺的提高降低了材料损耗和耗电量，同时减小了芯片尺寸，提高了生产效率，满足轻薄的移动需求。对于封装行业来讲，最直观的变化是芯片尺寸越来越小，封装工艺难度逐步增加。

市面上的有一种SOT89-3L封装属于半包封装产品，主要由芯片、引线框架(基岛和管脚)和塑封体三部分构成，部分基岛和管脚外漏在产品塑封体外，散热性好，但这样的半包封结构也存在较为严重的分层风险，产品底部大面积的散热片加大了外部水汽进入产品内部的通道，产品面临严峻的吸潮及分层可靠性风险，造成SOP89-3L封装产品在生产和使用过程中极易受到外界温度变化及水汽侵入影响，最终造成产品应用端芯片分层问题。芯片尺寸不断变小的趋势加剧了上述问题的严重程度。一方面芯片尺寸变小，粘片时设备粘片压力(利用设备吸嘴把芯片粘贴到固晶胶上，这个过程的压力)参数窗口较小不易调试；粘片压力小了会造成芯片浮在固晶胶上出现芯片倾斜问题，大了会造成芯片底部固晶胶全部挤压出来，导致芯片下方固晶胶厚度降低，最终出现温度变化时固晶胶部分膨胀变化空间不足，发生分层问题。另外一方面芯片尺寸变小，粘片固晶胶内部出现空洞的概率大大增加，最终造成芯片底部与固晶胶(绝缘胶时)部分漏电流的增大，出现产品失效问题，有待改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于承载微小型芯片的SOT89-3L引线框架及SOT89-3L封装产品。

本实用新型提供的技术方案为：一种用于承载微小型芯片的SOT89-3L引线框架，包括多个阵列布置的引线框架单元，每个引线框架单元包括基岛和二个管脚，二个管脚分布在基岛的二侧，所述基岛正面放置芯片的部位设有凹点结构，所述凹点结构用于容纳固晶胶，所述凹点结构的表面为祼铜面。

其中，所述凹点结构为球面。

其中，所述引线框架用于承载0.5mm*0.5mm以内尺寸的芯片，所述凹点结构的球面半径为150μm，深度为15μm。

本实用新型提供的另一种技术方案为：一种SOT89-3L封装产品，包括基岛、二个管脚、芯片和塑封体，所述二个管脚分布在基岛的二侧，所述芯片通过固晶胶固定在基岛正面，所述塑封体用于包裹保护基岛、管脚和芯片，所述基岛正面放置芯片的部位设有凹点结构，所述凹点结构用于容纳固晶胶，所述凹点结构的表面为祼铜面。

其中，所述凹点结构为球面。

其中，所述芯片尺寸小于等于0.5mm*0.5mm，所述凹点结构的球面半径为150μm，深度为15μm。

其中，所述固晶胶为绝缘胶或绝缘胶。

本实用新型所述微小型芯片是指芯片尺寸在0.5mm*0.5mm范围以内,或者面积在0.25mm²范围以内。