[实用新型]一种磷扩散硅舟有效
申请号: | 202121483065.8 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN215496651U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 徐爱民;顾标琴 | 申请(专利权)人: | 江苏扬杰润奥半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人: | 潘云峰 |
地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 | ||
本实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。其包括舟本体,沿舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽,卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,槽一和槽二用于放置相背而立的硅片,槽一和槽二间距设置为d,两相邻卡槽间距设置为D,D大于d。本实用新型用于解决磷扩散效率低的问题。由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两阳极面相对的硅片,减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。
技术领域
本实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。
背景技术
目前大部分的磷扩散采用的是液态的三氯氧磷作为N型的扩散源,由氮气携带从源瓶中进入到高温扩散系统中,为确保进气口与出气口磷扩散浓度的均匀性,通常会用到硅舟承载硅片送入扩散系统中去。
如图1所示,目前的硅舟为帮开槽,其表面均匀间隔开设有放置硅片的凹槽,两相邻凹槽之间的间距在4.8mm左右,以确保扩散效果,采用此种硅舟进行承载硅片扩散时,一炉次产能为100片左右。
由于磷扩散时,硅片阴极面需要扩磷,则此面需要相应的空间,而现有硅舟的设计导致在使用时每次炉产仅为100片左右,效率低下。
实用新型内容
本申请实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种磷扩散硅舟,用于解决磷扩散效率低的问题。
本申请实施例解决上述技术问题的技术方案如下:一种磷扩散硅舟,其包括:
舟本体,沿所述舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽;
所述卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,所述槽一和槽二用于放置相背而立的硅片;
所述槽一和槽二间距设置为d,两相邻所述卡槽间距设置为D,所述D大于所述d。
相较于现有技术,以上技术方案具有如下有益效果:
由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两硅片用于磷扩散,相背放置的两片硅片阳极面相对,进而减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。
进一步地,所述槽一与槽二的间距不大于所述硅片厚度的两倍。
将槽一和槽二的间距设置为小于硅片厚度的两倍,是为根据不同厚度的硅片,设置槽一和槽二的最大间隔距离,用于控制两相背硅片的间距。
进一步地,所述槽一和槽二的间距不小于所述硅片的厚度。
将槽一和槽二的间距设置为一片硅片厚度,确保减小槽一和槽二中两硅片的间距的同时,使得两硅片保持分离状态,避免槽一槽二靠的过近,导致槽一和槽二中硅片在扩散后出现粘连现象。
进一步地,两相邻所述卡槽间距不小于硅片厚度的四倍。
将卡槽之间间距设置为硅片厚度的四倍以上,确保硅片在扩散时,两组硅片之间距离能够保证硅片的阴极面有足够的空间接触扩散源,使得扩散源均匀附着其上,保证扩散效果。
进一步地,所述舟本体上间隔开设有减重孔。
通过在舟本体上开设减重孔,减轻硅舟整体的重量。
进一步地,所述槽一及槽二的槽口设置有圆倒角。
在槽一和槽二的槽口设置圆倒角,减少硅片放入和取出槽一槽二中时划伤硅片表面。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造