[实用新型]一种磷扩散硅舟有效

专利信息
申请号: 202121483065.8 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN215496651U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 徐爱民;顾标琴 申请(专利权)人: 江苏扬杰润奥半导体有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673
代理公司: 南京源点知识产权代理有限公司 32545 代理人: 潘云峰
地址: 225000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扩散
【说明书】:

实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。其包括舟本体,沿舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽,卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,槽一和槽二用于放置相背而立的硅片,槽一和槽二间距设置为d,两相邻卡槽间距设置为D,D大于d。本实用新型用于解决磷扩散效率低的问题。由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两阳极面相对的硅片,减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。

技术领域

本实用新型属于半导体制作设备技术领域,尤其涉及一种磷扩散硅舟。

背景技术

目前大部分的磷扩散采用的是液态的三氯氧磷作为N型的扩散源,由氮气携带从源瓶中进入到高温扩散系统中,为确保进气口与出气口磷扩散浓度的均匀性,通常会用到硅舟承载硅片送入扩散系统中去。

如图1所示,目前的硅舟为帮开槽,其表面均匀间隔开设有放置硅片的凹槽,两相邻凹槽之间的间距在4.8mm左右,以确保扩散效果,采用此种硅舟进行承载硅片扩散时,一炉次产能为100片左右。

由于磷扩散时,硅片阴极面需要扩磷,则此面需要相应的空间,而现有硅舟的设计导致在使用时每次炉产仅为100片左右,效率低下。

实用新型内容

本申请实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种磷扩散硅舟,用于解决磷扩散效率低的问题。

本申请实施例解决上述技术问题的技术方案如下:一种磷扩散硅舟,其包括:

舟本体,沿所述舟本体轴向间隔开设有若干组卡槽;

所述卡槽包括间隔设置的槽一和槽二,所述槽一和槽二用于放置相背而立的硅片;

所述槽一和槽二间距设置为d,两相邻所述卡槽间距设置为D,所述D大于所述d。

相较于现有技术,以上技术方案具有如下有益效果:

由于在硅片在进行磷扩散时,硅片的阳极面不需要接触扩散源,则将每组卡槽中的槽一和槽二的间距设置为小于两相邻卡槽的间距,而槽一和槽二中相背放置了两硅片用于磷扩散,相背放置的两片硅片阳极面相对,进而减小了相背放置两硅片之间的间距,减少整个硅舟的长度,提高硅舟的承载能力,同样的扩散系统中可以放入更多的硅舟用于扩散,提高了磷扩散效率。

进一步地,所述槽一与槽二的间距不大于所述硅片厚度的两倍。

将槽一和槽二的间距设置为小于硅片厚度的两倍,是为根据不同厚度的硅片,设置槽一和槽二的最大间隔距离,用于控制两相背硅片的间距。

进一步地,所述槽一和槽二的间距不小于所述硅片的厚度。

将槽一和槽二的间距设置为一片硅片厚度,确保减小槽一和槽二中两硅片的间距的同时,使得两硅片保持分离状态,避免槽一槽二靠的过近,导致槽一和槽二中硅片在扩散后出现粘连现象。

进一步地,两相邻所述卡槽间距不小于硅片厚度的四倍。

将卡槽之间间距设置为硅片厚度的四倍以上,确保硅片在扩散时,两组硅片之间距离能够保证硅片的阴极面有足够的空间接触扩散源,使得扩散源均匀附着其上,保证扩散效果。

进一步地,所述舟本体上间隔开设有减重孔。

通过在舟本体上开设减重孔,减轻硅舟整体的重量。

进一步地,所述槽一及槽二的槽口设置有圆倒角。

在槽一和槽二的槽口设置圆倒角,减少硅片放入和取出槽一槽二中时划伤硅片表面。

附图说明

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