[实用新型]一种量子计算用C波段低温低噪声放大器

权利要求书

1.一种量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，包括：外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器，外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器通过金丝W2级联，宽带单片低噪声放大器采用三级mHEMT管芯电路结构。

2.如权利要求1所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述外部输入微带匹配电路包括串联匹配电容C1、第一偏置电路和微带线TL1、TL2；微带线TL1与电容C1串联，电容C1与微带线TL2经金丝W1连接后与第一偏置电路连接，微带线TL2经金丝W2与所述宽带单片低噪声放大器级联。

3.如权利要求2所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述第一偏置电路包括微带线TL3、滤波电容C2、C3和电阻R1，微带线TL3接入所述电容C1和所述微带线TL2的连接线上，电阻R1与微带线TL3串联，滤波电容C2、C3并联在电阻R1两端。

4.如权利要求2所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器包括第一级管芯T1、第二级管芯T2和第三级管芯T3；第一级管芯T1的栅极通过所述金丝W2连接到所述外部输入微带匹配电路，源极通过微带线TL4接地，漏极通过隔直电容C5与第二级管芯T2的栅极连接；第二级管芯T2的源极通过微带线TL5和微带线TL6接地，漏极通过隔直电容C8与第三级管芯T3的栅极连接；第三级管芯T3的源极通过微带线TL7和微带线TL8接地，漏极通过隔直电容C11和电阻R9与输出PAD相连。

5.如权利要求4所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器还包括第二偏置电路、第三偏置电路、第四偏置电路、第五偏置电路和第六偏置电路，第二偏置电路包括电阻R2、电感L1和电容C4，第三偏置电路包括电阻R3、R4和电容C6，第四偏置电路包括电阻R5和电容C7，第五偏置电路电阻R6、R7和电容C9，第六偏置电路包括电阻R8、电感L2和电容C10；

所述第一偏置电路用于提供所述第一级管芯T1的栅压Vg1，第二偏置电路提供所述第一级管芯T1的漏压Vd1且第二偏置电路通过PAD1与外部电源连接，第三偏置电路提供所述第二级管芯T2的栅压Vg2且第三偏置电路通过PAD4与外部电源相连，第四偏置电路提供所述第二级管芯T2的漏压Vd2并通过PAD2与外部电源连接，第五偏置电路提供所述第三级管芯T3的栅压Vg3并通过PAD5与外部电源连接，第六偏置电路提供所述第三级管芯T3的漏压Vd3，并通过PAD3与外部电源连接。

6.如权利要求3所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述电容C1、C2和C3均采用芯片电容，所述电阻R1采用薄膜电阻。

7.如权利要求4所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述第一级管芯T1的栅指数为2，总栅宽为200um；第二级和第三级管芯T2和T3的栅指数均为2，总栅宽均为100um。

8.如权利要求1-7任一项所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器采用70nm GaAs mHEMT工艺制备，且电路板厚度为100um。

9.如权利要求1-7任一项所述的量子计算用C波段低温低噪声放大器，其特征在于，所述宽带单片低噪声放大器的输出PAD经金丝W3与微带线TL9连接。