[实用新型]一种MEMS压阻式压力传感器有效
| 申请号： | 202121475883.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN215217879U | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 武斌;许克宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区凤凰*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 | ||
1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座，所述硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜，所述栅齿结构位于硅应变膜的正面非梁膜区域内，所述压敏电阻位于栅齿结构的端部，所述金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜的正面形成欧姆接触，所述玻璃底座为与硅应变膜背面进行键合的打孔玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述硅衬底为N型100晶面的SOI硅片或N型硅晶圆。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述梁膜结构为十字形，且位于硅应变膜的中心区域。
4.根据权利要求3所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述梁膜结构包括十字梁，且所述梁膜结构由所述十字梁与圆形凸台或正方形凸台组成。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述栅齿结构由横向和/或纵向等间距设置的岛状梁块构成。
6.根据权利要求5所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述栅齿结构为直条形状或线性渐变形状。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述金属引线选为Al、Cr/Au、Ti/Au材料中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市美思先端电子有限公司，未经深圳市美思先端电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121475883.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
