[实用新型]显示面板、掩膜版组件和显示装置有效
申请号: | 202121464390.X | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN215644498U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 汪杨鹏;曹席磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/32;C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵丽婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 掩膜版 组件 显示装置 | ||
本实用新型提供过了显示面板、掩膜版组件和显示装置。显示面板包括具有第一弧形段和第二弧形段的像素界定单元,第一弧形段的外侧边包括第一弧形边和第二弧形边,内侧边包括第五弧形边;第二弧形段的外侧边包括第三弧形边和第四弧形边,内侧边包括第六弧形边;第一连接部,设置在两个接触部之间,行方向相邻两个像素界定单元中一个像素界定单元的第一弧形边、另一个像素界定单元的第三弧形边和第一连接部限定出第一像素容纳区;行方向相邻两个像素界定单元中一个像素界定单元的第二弧形边、另一个像素界定单元的第四弧形边和第一连接部限定出第二像素容纳区;第一弧形段和第二弧形段的内侧边限定出第三像素容纳区。该显示面板的像素开口率较高。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体的,涉及显示面板、向显示面板中像素界定层形成的像素容纳区蒸镀发光材料的掩膜版组件和显示装置。
背景技术
OLED屏以其自发光、功耗低、轻薄、可绕性、色彩绚丽、对比度高、响应速率快等优势,受到广泛的关注。现有主流OLED手机屏幕均采用SPR技术,但是在400~450ppi会有强烈的颗粒感,影响视觉效果。随着用户对画质的更高要求,真彩时代或许快要到来。采用真彩之后,相同分辨率下,子像素数量较SPR增加了50%,因此像素开口率相对下降,导致寿命折损,尤其是蓝光寿命,一直是制约真彩OLED寿命的瓶颈。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种显示面板,该显示面板具有较高的像素开口率。
在本实用新型的一个方面,本实用新型提供过了一种显示面板。根据本实用新型的实施例,所述显示面板包括:像素界定层,所述像素界定层包括:多个阵列排布的像素界定单元,在列方向上所述像素界定单元接触设置,所述像素界定单元在行方向上接触设置且包括第一弧形段和第二弧形段,所述第一弧形段和所述第二弧形段在背离彼此的方向上弯曲,所述第一弧形段的外侧边包括第一弧形边和第二弧形边,所述第二弧形段的外侧边包括第三弧形边和第四弧形边;所述第一弧形段的内侧边包括第五弧形边,所述第二弧形段的内侧边包括第六弧形边;多个第一连接部,定义在所述列方向上相邻两个所述像素界定单元相接触处为接触部,所述第一连接部设置在相邻两列且同一行的两个所述接触部之间,用于连接两个所述接触部,其中,在所述行方向上相邻两个所述像素界定单元中一个所述像素界定单元的所述第一弧形边、另一个所述像素界定单元的所述第三弧形边和所述第一连接部限定出第一像素容纳区;在所述行方向上相邻两个所述像素界定单元中一个所述像素界定单元的所述第二弧形边、另一个所述像素界定单元的所述第四弧形边和所述第一连接部限定出第二像素容纳区;所述第一弧形段的内侧边和所述第二弧形段的内侧边限定出第三像素容纳区。由此,该显示面板中的第一像素容纳区、第二像素容纳区以及第三像素容纳区用于设置不同的发光材料,及第一像素容纳区、第二像素容纳区以及第三像素容纳区的排布即为显示面板中像素的排布情况,上述第一像素容纳区、第二像素容纳区以及第三像素容纳区的排布要求在提高像素数量的同时,还可以有效提高像素的开口率,进而提高显示面板的显示质量;而且上述子像素的排布可以适用于真彩的像素的排布,保证真彩的像素较高的开口。
根据本实用新型的实施例,所述像素界定层还包括第二连接部,所述像素界定单元在所述行方向上通过所述第二连接部接触设置。
根据本实用新型的实施例,所述第一连接部在所述列方向上的两个边均为直线,或者,所述第一连接部在所述列方向上的两个边分别为第七弧形边和第八弧形边,所述第七弧形边和所述第八弧形边向同一方向弯曲。
根据本实用新型的实施例,所述第一弧形段的所述第一弧形边的一侧和所述第二弧形段的所述第三弧形边的一侧接触设置,所述第一弧形段的所述第二弧形边的一侧和所述第二弧形段的所述第四弧形边的一侧接触设置,所述第五弧形边和所述第六弧形边限定出第三像素容纳区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的