[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202121406701.7 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN215600368U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;林刚毅;刘安淇;颜逸飞;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括:
一衬底，包括一外围区域以及一存储器区域；
一第一电介质层位于该衬底上；
一接触结构位于该衬底的该外围区域上的该第一电介质层中；
一第二电介质层位于该第一电介质层上并且位于该接触结构的两侧；一互连结构位于该第二电介质层上；以及
一钝化层覆盖该接触结构的一顶面、该第二电介质层的一侧壁，以及该互连结构的一侧壁。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于该接触结构的两侧的该第二电介质层之间的一距离大于该接触结构的一宽度。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该钝化层覆盖该接触结构的该顶面的一部分。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该接触结构包括一气隙，且该气隙的顶部具有一气隙开口。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二电介质层的该侧壁以及该互连结构的该侧壁互相对齐。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一电介质层包括一凹形侧壁，该凹形侧壁被该钝化层覆盖。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该接触结构的该顶面自该第一电介质层的该凹形侧壁凸出。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，另包括一第三电介质层位于该互连结构上并且填入该接触结构的两侧的该第二电介质层之间。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，另包括:
复数个位线，位于该衬底的该存储器区域上；
复数个存储节点接触，位于该衬底上并且位于该位线之间，其中该互连结构的一顶面与该存储节点的顶面互相齐平。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括:
一衬底；
一第一电介质层位于该衬底上；
一接触结构位于该第一电介质层中；
一第二电介质层位于该第一电介质层上并且位于该接触结构的两侧，其中该接触结构的两侧的该第二电介质层之间的一距离大于该接触结构的一宽度；以及
一钝化层覆盖该接触结构的一顶面以及该第二电介质层的一侧壁。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，该接触结构包括一气隙，且该气隙的顶部具有一气隙开口。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，另包括一第三电介质层位于该钝化层上并且填入该接触结构的两侧的该第二电介质层之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
