[实用新型]封装结构和含有该封装结构的半导体器件结构有效
| 申请号： | 202121398723.3 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN215118884U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 闫鹏修;崔晓;王咏;朱贤龙;周晓阳;刘军 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 含有 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种封装结构，其特征在于，包括传导层、基板层、散热层、第一钎焊层以及第二钎焊层，所述传导层与所述基板层的一侧通过所述第一钎焊层结合，所述基板层的另一侧与所述散热层通过所述第二钎焊层结合。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一钎焊层和所述第二钎焊层为Ag-Cu-Ti合金层。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一钎焊层的厚度为0.1μm～30μm；和/或
所述第二钎焊层的厚度为0.1μm～30μm。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板层的厚度为0.1mm～0.8mm。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热层的厚度为1mm～4mm。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述传导层的厚度为0.1mm～2mm。
7.如权利要求1～6任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括至少一个在所述散热层上且不与所述第二钎焊层所在的一侧接触的散热柱。
8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述散热柱的形状为圆柱或多边形棱柱。
9.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述散热柱的长度为2mm～8mm，所述散热柱的直径为0.5mm～3mm。
10.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的封装结构、芯片以及连接所述芯片与所述封装结构的键合线。
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